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资料编号:694339
 
资料名称:VMK90-02T2
 
文件大小: 128.34K
   
说明
 
介绍:
Dual Power MOSFET Module
 
 


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4 - 4
vmk 90-02t2
0.001 0.01 0.1 1 10
0.001
0.01
0.1
1
d=0.02
d=0.05
d = 单独的 脉冲波
d = 0.1
d = 0.2
d = 0.5
s
k/w
Z
thJK
0 100 200 300 400
0
2
4
6
8
10
Q
g
nC
V
DS
= 100 v
I
D
= 40 一个
I
G
= 2 毫安
V
GS
V
I
D
1 10 100 1000
1
10
100
1000
限制 用 r
ds(在)
t = 100 ms
t = 10 ms
t = 1 ms
V
DS
V
0 20406080100120
0
20
40
60
80
100
t
s
I
D
g
fs
一个
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50
0
50
100
150
200
V
一个
0 5 10 15 20 25
0.1
1
10
100
nF
V
SD
I
S
C
iss
V
DS
V
C
一个
0
非-repetitive
T
J
= 150
°
C
T
K
= 25
°
C
C
rss
C
oss
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
图. 7 典型 转变-在 门 承担 特性 图. 8 向前 safe 运行 范围, i
D
= f (v
DS
)
图. 9 典型 capacitances c = f (v
DS
), f = 1 mhz 图. 10 典型 向前 特性 的 反转
二极管, i
S
= f (v
SD
)
图. 11 典型 跨导 g
fs
= f (i
D
) 图. 12 瞬时 热的 阻抗 z
thJK
= f (t
p
)
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