ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
标识 测试 情况 典型的值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
V
DS
= 15 v; i
D
= 0.5 • i
D25
搏动 18 S
C
iss
5600 pF
C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 800 pF
C
rss
200 pF
t
d(在)
25 ns
t
r
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 • i
D25
45 ns
t
d(止)
R
G
= 15
Ω
(外部), resistive 加载 250 ns
t
f
75 ns
Q
g
110 nC
Q
gs
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 • i
D25
15 nC
Q
gd
40 nC
R
thJK
和 30
µ
m 热温 转移 paste 0.7 k/w
d
S
creepage 距离 在 表面 17 mm
d
一个
strike 距离 通过 空气 9.6 mm
一个
最大 容许的 acceleration 50 m/s
2
源-流 二极管 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
I
S
V
GS
= 0 v 20 一个
I
SM
repetitive; 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
80 一个
V
SD
I
F
= i
S
; v
GS
= 0 v, 1.5 V
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2 %
t
rr
I
F
= i
S
, -di/dt = 200 一个/
µ
s, v
DS
= 100 v 600 ns
vmm 15-045
维度 在 mm (1 mm = 0.0394")
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