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3
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
DS
, drain−source 电压 (伏特)
0.6
0.4
0.2
0.8
1.2
1
01234
5
1.6
1.4
678
910
图示 1. ohmic 区域
V
GS
, gate−source 电压 (伏特)
01234
5
678
910
1.8
2
0.6
0.4
0.2
0.8
1
t, 温度 (
°
c) t, 温度 (
°
c)
0.4
1
0.8
0.6
1.2
1.6
1.4
, 静态的 drain−source on−resistance
ds(在)
r
−60 −20 +20
2
1.8
+60 +100
+140
2.2
2.4
−60 −20 0 +20 +60 +100
+140
0.7
0.85
0.8
0.75
0.9
1
0.95
1.1
1.05
1.15
1.2
(normalized)
, 门槛 电压 (normalized)
gs(th)
V
图示 2. 转移 特性
图示 3. 温度 相比 静态的
drain−source on−resistance
图示 4. 温度 相比 门
门槛 电压
T
一个
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
9 v
8 v
7 v
6 v
5 v
4 v
3 v
V
DS
= 10 v
25
°
C
125
°
C
−55
°
C
V
GS
= 10 v
I
D
= 200 毫安
V
DS
= v
GS
I
D
= 1 毫安

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VN2222LL http://onsemi.com 3 I D , 流电流 (放大器) I D , 流电流 (放大器) V DS , drain−source 电压 (伏特) 0.6 0.4 0.2 0.8 1.2 1 01234 5 1.6 1.4 678 910 图示 1. ohmic 区域 V GS , gate−source 电压 (伏特) 01234 5 678 910 1.8 2 0.6 0.4 0.2 0.8 1 t, 温度 ( ° c) t, 温度 ( ° c) 0.4 1 0.8 0.6 1.2 1.6 1.4 , 静态的 drain−source on−resistance ds(在) r −60 −20 +20 2 1.8 +60 +100 +140 2.2 2.4 −60 −20 0 +20 +60 +100 +140 0.7 0.85 0.8 0.75 0.9 1 0.95 1.1 1.05 1.15 1.2 (normalized) , 门槛电压 (normalized) gs(th) V 图示 2. 转移特性图示 3. 温度相比静态的 drain−source on−resistance 图示 4. 温度相比门门槛电压 T 一个 = 25 ° C V GS = 10 v 9 v 8 v 7 v 6 v 5 v 4 v 3 v V DS = 10 v 25 ° C 125 ° C −55 ° C V GS = 10 v I D = 200 毫安 V DS = v GS I D = 1 毫安

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