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资料编号:695645
 
资料名称:VN2410LS
 
文件大小: 54.79K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 240-V (D-S) MOSFETs
 
 


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tn2410l, vn2406d/l, vn2410l/ls
vishay siliconix
文档 号码: 70204
s-04279
rev. f, 16-jul-01
www.vishay.com
11-3



ohmic 区域 特性 输出 特性 为 低 门 驱动
V
DS
流-至-源 电压 (v) V
DS
流-至-源 电压 (v)
1.0
0123 45
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
GS
= 10 v
4.0 v
3.5 v
3.0 v
2.5 v
2.0 v
200
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
160
120
80
40
0
V
GS
= 3 v
2.6 v
2.4 v
2.2 v
2.0 v
1.8 v
在-阻抗 vs. 流 电流
normalized 在-阻抗
vs. 接合面 温度
转移 特性 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
V
GS
门-源 电压 (v) V
GS
门-源 电压 (v)
I
D
流 电流 (一个)
T
J
接合面 温度 (
c)
0.5
0.4
0.3
0
01 5
0.2
0.1
234
125
C
25
C
T
J
=
55
C
6
5
4
0
0 0.1 0.6
3
1
0.2 0.3 0.4
0.5
2
0 4 8 12 16 20
12
10
8
0
6
4
2
I
D
= 0.1 一个
0.5 一个
1.0 一个
2.25
2.00
1.75
0.50
50
10 150
1.50
1.25
30 70 110
1.00
0.75
0.1 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 0.5 一个
V
GS
= 10 v
V
DS
= 15 v
I
D
流 电流 (一个)
I
D
流 电流 (毫安)
I
D
流 电流 (一个)
r
ds(在)
在-阻抗 (
Ω )
r
ds(在)
流-源 在-阻抗 (
Ω )
r
ds(在)
流-源 在-阻抗 (
Ω )
(
normalized)
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