vnh2sp30-e
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图示 5. 典型 应用 电路 为 直流 至 20khz pwm operationshort 电路 保护
在 情况 的 一个 故障 情况 这 diag
X
/en
X
管脚 是
考虑 作 一个 输出 管脚 用 这 设备.
这 故障 情况 是:
- overtemperature 在 一个 或者 两个都 高 sides (为 例子
如果 一个 短的 至 地面 occurs 作 它 可以 是 这 情况
描述 在 线条 1 和 2 在 这 表格 在下);
- 短的 至 电池 情况 在 这 输出 (饱和
发现 在 这 低-一侧 电源 场效应晶体管).
可能 origins 的 故障 情况 将 是:
输出
一个
是 短接 至 地面 ---> overtemperature
发现 在 高 一侧 一个.
输出
一个
是 短接 至 v
CC
---> 低-一侧 电源 场效应晶体管
饱和 发现.
当 一个 故障 情况 是 发现, 这 用户 能 know
这个 电源 元素 是 在 故障 用 monitoring 这 在
一个
,
在
B
, diag
一个
/en
一个
和 diag
B
/en
B
管脚.
在 任何 情况, 当 一个 故障 是 发现, 这 faulty leg 的 这
桥 是 latched 止. 至 转变-在 这 各自的 输出
(输出
X
) 又一次, 这 输入 信号 必须 上升 从 低 至 高
水平的.
表格 15. 真实 表格 在 故障 情况 (发现 在 输出
一个
)
M
µ
C
Reg 5V
+ 5v
HS
一个
HS
B
LS
一个
LS
B
V
CC
DIAG
一个
/en
一个
CS
在
一个
PWM
输出
一个
输出
B
D
S
G
b) n 场效应晶体管
3.3k
1K
1K
1K
10K
33nF
1.5k
V
CC
100K
DIAG
B
/en
B
+5V
1K
3.3k
在
B
1K
地
一个
地
B
> 50uf
在
一个
在
B
DIAG
一个
/en
一个
DIAG
B
/en
B
输出
一个
输出
B
CS
1 1 0 1 打开 H 高 imp.
1 0 0 1 打开 L 高 imp.
0 1 0 1 打开 H I
OUTB
/k
0 0 0 1 打开 L 高 imp.
X X 0 0 打开 打开 高 imp.
X 1 0 1 打开 H I
OUTB
/k
X 0 0 1 打开 L 高 imp.
故障 信息
保护 action
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