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资料编号:695824
 
资料名称:VNP35NV04
 
文件大小: 412.16K
   
说明
 
介绍:
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
 
 


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vnb35nv04 / vnp35nv04 / vnv35nv04 / vnw35nv04
源-流 二极管 向前 特性 静态的 流 源 在 阻抗
d2pak, 至-220 &放大; 至-247 静态的 drain-source 在
阻抗 vs. 输入 电压
2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5
vin (v)
0
5
10
15
20
25
30
rds(在) (mohm)
Id=15A
id=7.5a
Id=15A
id=7.5a
Id=15A
id=7.5a
Tj=25ºC
Tj=150ºC
tj=-40ºc
0 5 10 15 20 25 30 35
id (一个)
650
700
750
800
850
900
950
vsd (mv)
Vin=0V
0123456
id (一个)
10
20
30
40
50
rds(在) (mohm)
Tj=25ºC
Tj=150ºC
tj=-40ºc
vin=2.5v
powerso-10 静态的 流-源 在 阻抗 vs.
22.533.544.555.566.5
vin (v)
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
27.5
rds(在) (mohm)
Id=15A
id=7.5a
Id=15A
id=7.5a
Id=15A
id=7.5a
Tj=25°C
Tj=150°C
tj=-40°c
0 5 10 15 20 25 30 35
id (一个)
0
5
10
15
20
25
30
rds(在) (mohm)
Tj=25ºC
Tj=150ºC
tj=-40ºc
Vin=5V
powerso-10 静态的 流-源 在 阻抗
输入 电压
vs. id
d2pak, 至-220 &放大; 至-247 静态的 drain-source 在
阻抗 vs. id
0 4 8 121620242832
id (一个)
0
3
6
9
12
15
18
21
24
rds(在) (mohm)
Tj=25ºC
Tj=150ºC
tj=-40ºc
Vin=5V
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