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I
R
V
R
= v
RRM
,t
VJ
=25
C 0.3 毫安
V
R
= v
RRM
,t
VJ
= 150
C5mA
V
F
I
F
= 150 一个, T
VJ
=25
C
vub 120
1.59 V
vub 160
1.49 V
V
T0
为 电源-丧失 calculations 仅有的
vub 120
0.80 V
vub 160
0.75 V
r
T
T
VJ
= 150
C
vub 120
6.1 m
vub 160
4.6 m
R
thJC
每 二极管
vub 120
1.0 k/w
vub 160
0.8 k/w
R
thJH
vub 120
1.3 k/w
vub 160
1.1 k/w
V
br(ces)
V
GS
= 0 v, i
C
= 3 毫安 1200 V
V
ge(th)
I
C
= 20 毫安
vub 120
58V
I
C
= 30 毫安
vub 160
58V
I
CES
T
VJ
=
25
c, V
CE
= 1200 v
vub 120
0.8 毫安
vub 160
1.2 毫安
T
VJ
=
125
c, V
CE
= 0,8
ž
V
CES
vub 120
3mA
vub 160
4.5 毫安
V
CEsat
V
GE
= 15 v, i
C
= 50 一个
vub 120
2.9 V
V
GE
= 15 v, i
C
= 75 一个
vub 160
2.9 V
t
SC
V
GE
= 15 v, v
CE
= 720 v, t
VJ
=
125
c,
(scsoa)
R
G
= 11
非 repetitive
vub 120
10
s
R
G
= 7
, 非 repetitive
vub 160
10
s
RBSOA
V
GE
= 15 v, v
CE
= 960 v, t
VJ
=
125
c,
clamped inductive 加载, l = 100
H
R
G
= 11
vub 120
100 一个
R
G
= 7
vub 160
150 一个
C
ies
V
CE
= 25 v, f = 1 mhz, v
GE
= 0 v
vub 120
9nF
vub 160
13.5 nF
t
d(在)
300 ns
t
d(止)
350 ns
E
在
vub 120
12 mJ
vub 160
18 mJ
E
止
vub 120
16 mJ
vub 160
24 mJ
R
thJC
vub 120
0.32 k/w
vub 160
0.21 k/w
R
thJH
vub 120
0.45 k/w
vub 160
0.30 k/w
I
R
V
R
= v
RRM
, T
VJ
= 25
C 0.75 毫安
V
R
= 0,8
•
V
CES
, t
VJ
= 125
C47mA
V
F
I
F
= 30 一个, T
VJ
=25
C 2.55 V
V
T0
为 电源-丧失 calculations 仅有的 1.65 V
r
T
T
VJ
= 150
C 18.2 m
I
RM
I
F
= 30 一个, -di
F
/dt = 240 一个/
s, v
R
= 540 v 16 18 一个
t
rr
I
F
= 1 一个, -di
F
/dt = 100 一个/
s, v
R
= 30 v 40 60 ns
R
thJC
1.2 k/w
R
thJH
1.6 k/w
R
25
siemens s 891/2,2/+9 2.2 k
标识 测试 情况 典型的 值
(t
VJ
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
整流器 二极管
快 恢复 二极管
V
CE
= 720 v, i
C
= 50/75 一个
V
GE
= 15 v, r
G
= 11/7
inductive 加载; l = 100
H
T
VJ
=
125
C
IGBT
vub 120 / 160
整流器 二极管
NTC
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