© 2000 ixys 所有 权利 保留
2 - 4
vub 60
I
R
V
R
= v
RRM
,t
VJ
=25
C 0.2 毫安
V
R
= 800 v, T
VJ
=150
C6mA
V
F
I
F
= 12 一个, T
VJ
=25
C 2.7 V
V
T0
为 电源-丧失 calculations 仅有的 1.65 V
r
T
T
VJ
= 150
C46m
I
RM
I
F
= 25 一个, -di
F
/dt = 100 一个/
s 6.5 7 一个
V
R
= 100 v
t
rr
I
F
= 1 一个, -di
F
/dt = 100 一个/
s5070ns
V
R
= 30 v
R
thJH
3.12 k/w
R
25
siemens 典型值 s 891/2,2k/+9 2.2 k
d
S
creep 距离 在 表面 12.7 mm
d
一个
strike 距离 在 空气 9.4 mm
一个
最大 容许的 acceleration 50 m/s
2
标识 测试 情况 典型的 值
(t
VJ
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
整流器 二极管
V
br(ces)
V
GS
= 0 v, i
C
= 3 毫安 1200 V
V
ge(th)
I
C
= 10 毫安 5 7.5 V
I
GES
V
GE
=
20 v 500 nA
I
CES
T
VJ
=
25
c, V
CE
= 800 v 250
一个
T
VJ
=
125
c, V
CE
= 800 v 1 毫安
V
CEsat
V
GE
= 15 v, i
C
= 25 一个 3.5 V
t
SC
V
GE
= 15 v, v
CE
= 600 v, t
VJ
=
125
c, 10
s
(scsoa)
R
G
= 4.7
, 非 repetitive
RBSOA
V
GE
= 15 v, v
CE
= 800 v, t
VJ
=
125
c, 50 一个
R
G
= 4.7
, clamped inductive 加载, l = 100
H
C
ies
V
CE
= 25 v, f = 1 mhz, v
GE
= 0 v 2.85 nF
t
d(在)
100 ns
t
d(止)
220 ns
t
fi
1600 ns
E
在
3.5 mJ
E
止
12 mJ
R
thJH
1 k/w
I
R
V
R
= v
RRM
,t
VJ
=25
C 0.1 毫安
V
R
= v
RRM
,t
VJ
= 150
C3mA
V
F
I
F
= 25 一个, T
VJ
=25
C 1.3 V
V
T0
为 电源-丧失 calculations 仅有的 0.85 V
r
T
T
VJ
= 150
C 8.5 m
R
thJH
每 二极管 1.42 k/w
整流器 二极管
110
10
100
1000
10000
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
F
一个
I
F
0.001 0.01 0.1 1
0
100
200
300
400
500
V
s
t
V
R
= 0.8v
RRM
T
VJ
= 45
°
C
T
VJ
= 150
°
C
I
2
t
一个
2
s
一个
I
FSM
ms
t
V
R
= 0 v
T
VJ
= 25
°
C
T
VJ
=150°C
最大值
T
VJ
= 150
°
C
T
VJ
= 45
°
C
典型值
图. 3 I
2
t 相比 时间 每整流器二极管
图. 2 surge 超载 电流 每
整流器 二极管
图. 1 向前 电流 相比 电压
漏出 每 整流器 二极管
快 恢复 二极管
V
CE
= 600 v, i
C
= 25 一个
V
GE
= 15 v, r
G
= 4.7
inductive 加载; l = 100
H
T
VJ
=
125
C
IGBT
单元
NTC
: 点此下载
