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资料编号:702562
 
资料名称:W29EE512P-70
 
文件大小: 153.67K
   
说明
 
介绍:
64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
W29EE512
发行 释放 日期: 二月 18, 2002
-9-
直流 特性
绝对 最大 比率
参数 比率 单位
电源 供应 电压 至 vss潜在的 -0.5 至 +7.0 V
运行 温度 0 至 +70
°
C
存储 温度 -65 至 +150
°
C
d.c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 除了 a9 -0.5 至 vCC+1.0 V
瞬时 电压 (
¡Õ
20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的
-1.0 至 vCC+1.0 V
电压 在 a9 和
#OE
管脚 至 地面 潜在的 -0.5 to 12.5 V
便条: 暴露 至 情况 在之外 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 反而 影响 这 生命 和 可靠性
的 这 设备.
运行 特性
(vCC= 5.0v
±
10
%
, vSS= 0v, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 sym. 测试 情况 LIMITS 单位
最小值 典型值 最大值
电源 供应
电流
ICC
#CE
=
#OE
= vIL,
#WE
= vIH,
所有 i/os 打开
地址 输入 = vIL/vIH, 在 f = 5 mhz
- - 50 毫安
备用物品 vcc 电流
(ttl 输入)
ISB1
#CE
= vIH, 所有 i/os 打开
其它 输入 = vIL/vIH
- 2 3 毫安
备用物品vcc 电流
(cmos 输入)
ISB2
#CE
= vCC-0.3v, 所有 i/os 打开
其它 输入 = vCC-0.3v/地
- 20 100
µ
一个
输入 泄漏
电流
ILI
V= 地 至 vCC
- - 10
µ
一个
输出 泄漏
电流
ILO
V= 地 至 vCC
- - 10
µ
一个
输入 低 电压 VIL
- - - 0.8 V
输入高 电压 VIH
- 2.0 - - V
输出 低 电压 VOL
IOL= 2.1 毫安 - - 0.45 V
输出 高 电压 VOH1
IOH=-0.4 毫安 2.4 - - V
输出 高 电压
CMOS
VOH2
IOH=-100
µ
一个; vCC= 4.5v
4.2 - - V
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