W29EE012
发行 释放 日期: march 26, 2002
-9-修订 a3
直流 特性
绝对 最大 比率
参数 比率 单位
电源 供应 电压 至 vSS潜在的 -0.5 至 +7.0 V
运行 温度 0 至 +70
°
C
存储 温度 -65 至 +150
°
C
d.c.电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 除了 #oe -0.5 至 vDD+1.0 V
瞬时 电压 (
≤
20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的
-1.0 至 vDD+1.0 V
电压 在 #oe 管脚 至 地面 潜在的 -0.5 至 12.5 V
便条: 暴露 至 情况 在之外 那些 列表 under 绝对 最大 比率 将 反而 影响 这 生命 和 可靠性
的 这 设备.
运行 特性
(vDD= 5.0v
±
10
%
, vSS= 0v, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 sym. 测试 情况 限制 单位
最小值 典型值 最大值
电源 供应
电流
ICC #ce =#oe = vIL, #我们 = vIH,
所有 i/os 打开
地址 输入 = vIL/vIH,
在 f = 5 mhz
- - 50 毫安
备用物品 vDD电流
(ttl 输入)
ISB1
#ce = vIH, 所有 i/os 打开
其它 输入 = vIL/vIH
- 2 3 毫安
备用物品 vDD电流
(cmos 输入)
ISB2#ce = vDD-0.3v, 所有 i/os 打开
Other 输入 = vDD-0.3v/地
- 20 100
µ
一个
输入 泄漏
电流
ILI V在= 地 至 vDD - - 1
µ
一个
输出 泄漏
电流
ILO V在= 地 至 vDD - - 10
µ
一个
输入 低 电压 VIL - -0.3 - 0.8 V
输入 高 电压 VIH - 2.0 - VDD+0.5 V
输出 低 电压 VOL IOL= 2.1 毫安 - - 0.45 V
输出 高 电压 VOHIOH=-0.4 毫安 2.4 - - V
电源-向上 定时
参数 标识 典型 单位
电源-向上 至 读 运作 TPU.读 100
µ
S
电源-向上 至写 运作 TPU.写 5 mS
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