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资料编号:703680
 
资料名称:W39L040
 
文件大小: 334.4K
   
说明
 
介绍:
512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
W39L040
发行 释放 日期: 二月 10, 2003
- 15 - 修订 a3
7. 直流 特性
绝对 最大 比率
参数 比率 单位
电源 供应 电压 至 v
SS
潜在的 -2.0 至 +4.6 V
0 至 +70
°
C
运行 温度
-40 至 +85
°
C
存储 温度 -65 至 +125
°
C
电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 除了 a9 -2.0 至 +4.6 V
电压 在 a9 管脚 至 地面 潜在的 -2.0 至 +13.0 V
便条: 暴露 至 情况 在之外 那些 listed 下面 绝对 最大 比率 将 反而 影响 这 生命 和 可靠性
的 这 设备.
直流 运行 特性
(v
DD
= 3.3v
±
0.3v, v
SS
= 0v, t
一个
= 0 至 70
°
c 或者 -40 至 85
°
c)
限制
参数 sym. 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
电源 供应
电流
I
DD
#ce = #oe = v
IL
, #we = v
IH
,
所有 dqs 打开, 地址 输入 =
V
IL
/v
IH
, 在 f = 5 mhz
- 10 20
毫安
备用物品 v
DD
电流 (ttl 输入)
I
SB
1
#ce = v
IH
, 所有 dqs 打开
其它 输入 = v
IL
/v
IH
- 1 2 毫安
备用物品 v
DD
电流
(cmos 输入)
I
SB
2
#ce = v
DD
-0.3v, 所有 dqs 打开
其它 输入 = v
DD
-0.3v/ v
SS
- 2 15
µ
一个
输入 泄漏
电流
I
LI
V
= v
SS
至 v
DD
- - 1
µ
一个
输出 泄漏
电流
I
LO
V
输出
= v
SS
至 v
DD
- - 1
µ
一个
输入 低 电压 V
IL
- -0.3 - 0.8 v
输入 高 电压 V
IH
- 2.0 - v
DD
+0.5 V
输出 低 电压 V
OL
I
OL
= 2.1 毫安 - - 0.45 V
输出 高 电压 V
OH
I
OH
= -0.4 毫安 2.4 - - V
管脚 电容
(v
DD
= 3.3v, t
一个
= 25
°
c, f = 1 mhz)
参数 标识 情况 典型值 最大值 单位
输入 电容 C
V
= 0v 6 8 pF
输出 电容 C
输出
V
输出
= 0v 10 12 pF
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