stk11c88-3
july 1999 5-17
这 stk11c88-3 是 一个 多功能的 3.3v v
CC
记忆
碎片 那 提供 一些 模式 的 运作. 这
stk11c88-3 能 运作 作 一个 标准 32k x 8
SRAM
. 它 有 一个 32k x 8
可擦可编程只读存储器
shadow 至 这个
这
SRAM
信息 能 是 copied 或者 从 这个
这
SRAM
能 是 updated 在 nonvolatile 模式.
噪音 仔细考虑
便条 那 这 stk11c88-3 是 一个 高-速 记忆
和 所以 必须 有 一个 高 频率 绕过 capaci-
tor 的 大概 0.1
µ
f 连接 在 v
CC
和 v
SS
, 使用 leads 和 查出 那 是 作 短的 作
可能. 作 和 所有 高-速
CMOS
ics, 正常的
细致的 routing 的 电源, 地面 和 信号 将
帮助 阻止 噪音 问题.
sram 读
这 stk11c88-3 执行 一个
读
循环 whenever
E
和 g是 低 和 w 是 高. 这 地址 speci-
fied 在 管脚 一个
0-14
确定 这个 的 这 32,768
数据 字节 将 是 accessed. 当 这
读
是 initi-
ated 用 一个 地址 转变, 这 输出 将 是
有效的 之后 一个 延迟 的 t
AVQV
(
读
循环 #1). 如果 这
读
是 initiated 用 e或者 g, 这 输出 将 是 有效的
在 t
ELQV
或者 在 t
GLQV
, whichever 是 后来的 (
读
循环 #2).
这 数据 输出 将 repeatedly respond 至 地址
改变 在里面 这 t
AVQV
进入 时间 没有 这 需要
为 transitions 在 任何 控制 输入 管脚, 和 将
仍然是 有效的 直到 另一 地址 改变 或者 直到 e
或者 g是 brought 高.
sram 写
一个
写
循环 是 执行 whenever e和 w是
低. 这 地址 输入 必须 是 稳固的 较早的 至
进去 这
写
循环 和 必须 仍然是 稳固的
直到 也 e
或者 w变得 高 在 这 终止 的 这 循环.
这 数据 在 这 一般 i/o 管脚 dq
0-7
将 是 writ-
ten 在 这 记忆 如果 它 是 有效的 t
DVWH
在之前 这 终止
的 一个 w
控制
写
或者 t
DVEH
在之前 这 终止 的 一个
E
控制
写
.
它 是 推荐 那 g
是 保持 高 在 这
全部
写
循环 至 避免 数据 总线 contention 在
这 一般 i/o 线条. 如果 g
是 left 低, 内部的 电路系统
将 转变 止 这 输出 缓存区 t
WLQZ
之后 w变得 低.
软件 nonvolatile
STORE
这 stk11c88-3 软件
STORE
循环 是 initiated
用 executing sequential
读
循环 从 六 spe-
cific 地址 locations. 在 这
STORE
循环 一个
擦掉 的 这 previous nonvolatile 数据 是 第一 每-
formed, followed 用 一个 程序 的 这 nonvolatile
elements. 这 程序 运作 copies 这
SRAM
数据 在 nonvolatile 记忆. once 一个
STORE
循环
是 initiated, 更远 输入 和 输出 是 无能 直到
这 循环 是 完成.
因为 一个 sequence 的 读 从 明确的
地址 是 使用 为
STORE
initiation, 它 是 impor-
tant 那 非 其它
读
或者
写
accesses inter-
vene 在 这 sequence, 或者 这 sequence 将 是
aborted 和 非
STORE
或者
RECALL
将 引领 放置.
至 initiate 这 软件
STORE
循环, 这 下列的
读
sequence 必须 是 执行:
1. 读 地址 0e38 (十六进制) 有效的 读
2. 读 地址 31c7 (十六进制) 有效的 读
3. 读 地址 03e0 (十六进制) 有效的 读
4. 读 地址 3c1f (十六进制) 有效的 读
5. 读 地址 303f (十六进制) 有效的 读
6. 读 地址 0fc0 (十六进制) Initiate
STORE
循环
这 软件 sequence 是 clocked 和 e控制
读
s.
once 这 sixth 地址 在 这 sequence 有 被
entered, 这
STORE
循环 将 commence 和 这
碎片 将 是 无能. 它 是 重要的 那
读
循环
和 不
写
循环 是 使用 在 这 sequence,
虽然 它 是 不 需要 那 g
是 低 为 这
sequence 至 是 有效的. 之后 这 t
STORE
循环 时间 有
被 fulfilled, 这
SRAM
将 又一次 是 使活动 为
读
和
写
运作.
软件 nonvolatile
RECALL
一个 软件
RECALL
循环 是 initiated 和 一个 sequence
的
读
行动 在 一个 manner 类似的 至 这 软-
ware
STORE
initiation. 至 initiate 这
RECALL
循环,
这 下列的 sequence 的
读
行动 必须 是
执行:
1. 读 地址 0e38 (十六进制) 有效的 读
2. 读 地址 31c7 (十六进制) 有效的 读
3. 读 地址 03e0 (十六进制) 有效的 读
4. 读 地址 3c1f (十六进制) 有效的 读
5. 读 地址 303f (十六进制) 有效的 读
6. 读 地址 0c63 (十六进制) Initiate
RECALL
循环
设备 运作
: 点此下载
