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资料编号:704537
 
资料名称:W49V002AP
 
文件大小: 290.12K
   
说明
 
介绍:
256K x 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC INTERFACE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
初步的W49V002A
发行 释放 日期: april 2001
-13- 修订 a1
直流 特性
绝对 最大 比率
参数 比率 单位
电源 供应 电压 至 vss潜在的 -0.5 至 +4.1 V
Operating 温度 0 至 +70
°
C
存储 温度 -65 至 +150
°
C
d.c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 -0.5 至 vDD+0.5 V
瞬时 电压 (<20 ns ) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 -1.0 至 vDD+0.5 V
便条: 暴露 至 情况 在之外 那些 listed 下面 绝对 最大 比率 将 反而 影响 这 生命 和 可靠性
的 这 设备.
programmer 接口 模式 直流 运行 特性
(vDD3.3v
±
5%,V = 0v, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 sym. 测试 情况 限制 单位
最小值 典型值 毫安x.
电源 供应
电流
ICC 在 读 或者 写 模式, 所有 dqs 打开
地址 输入 = 3.0v/0v, 在 f = 3 mhz
- 20 30 毫安
输入 泄漏
电流
ILI V= 地 至 vDD - - 10
µ
一个
输出 泄漏
电流
ILO V输出= 地 至 vDD - - 10
µ
一个
输入 低 电压 VIL - -0.3 - 0.8 V
输入 高 电压 VIH - 2.0 - VDD+0.5 V
输出 低 电压 VOL IOL= 2.1 毫安 - - 0.45 V
输出 高 电压 VOH IOH=-0.1ma 2.4 - - V
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