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资料编号:705539
 
资料名称:M29W800AB
 
文件大小: 234.79K
   
说明
 
介绍:
8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
M29w800at, M29W800AB
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图示 2. TSOP 连接
DQ3
DQ9
DQ2
A6
DQ0
W
A3
RB
DQ6
A8
A9
DQ13
A17
A10 DQ14
A2
DQ12
DQ10
DQ15A–1
V
CC
DQ4
DQ5
A7
DQ7
NC
NC
AI02179
M29W800T
M29W800B
12
1
13
24 25
36
37
48
DQ8
NC
NC
A1
A18
A4
A5
DQ1
DQ11
G
A12
A13
A16
A11
字节
A15
A14
V
SS
E
A0
RP
V
SS
图示 3. 所以 连接
G
DQ0
DQ8
A3
A0
E
V
SS
A2
A1
A13
V
SS
A14
A15
DQ7
A12
A16
字节
DQ15A–1
DQ5DQ2
DQ3
V
CC
DQ11
DQ4
DQ14
A9
W
RB
A4
RP
A7
AI02181
M29W800
T
M29W800B
8
2
3
4
5
6
7
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
2322
20
19
18
17DQ1
DQ9
A6
A5
DQ6
DQ13
44
39
38
37
36
35
34
33
A11
A10
DQ10
21
DQ12
40
43
1
42
41
A17 A8
A18
表格 1. 信号 Names
a0-a18 地址 输入
dq0-dq7 数据 输入/输出, Command 输入
dq8-dq14 数据 输入/输出
DQ15A–1 数据 输入/输出 或者 地址 Input
E 碎片 使能
G 输出 使能
W Write 使能
RP 重置/块 Temporary Unprotect
RB 准备好/busy Output
字节 字节/文字 Organization
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
NC 连接 内部
DU Don’t 使用 内部 连接
描述
M29W800A 一个 非-易变的 记忆
erased 用电气 或者 碎片 水平的
编写程序 在-系统 一个 字节-用-字节 或者
文字-用-文字 基准 使用 仅有的 一个 单独的 2.7v
3.6v V
CC
供应. 程序 擦掉 opera-
tions 需要 电压 发生
内部. 设备 编写程序
标准 programmers.
排列 矩阵变换 organisation 准许 各自
erased reprogrammed 没有 影响
其它 blocks. Blocks 保护 相反 pro-
graming 擦掉 程序编制 设备,
temporarily unprotected 制造 改变
应用. 各自 编写程序
erased 100,000 循环.
说明 读/重置, 自动 选择 读-
ing 电子的 Signature 或者 保护
状态, 程序编制, 碎片 擦掉,
擦掉 Suspend 重新开始 de-
恶行 循环 commands 一个 Command inter-
面向 使用 标准 微处理器 timings.
设备 offered TSOP48 (12 x 20mm),
SO44 LFBGA48 0.8 mm 程度 包装.
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