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修订 0.6
7
W83301R
初步的
7.函数的 描述
7.1 模式 选择
这 w83301r 支持 二 模式 为 customer’s multi-产品, 作 显示 作
table1, 这 模式 一个 和 模式 b 能 选择 vi一个 vset0 管脚. 如果 这个 管脚 connects 至 5v,
这 碎片 将 运作 下面 mode 一个, 否则 这 碎片将 运作 下面 模式 b 当
vset0 connects 至 地面.
两个都 模式 一个 和 b 支持一个 直线的 转变 至 发生 一个 acpi-一致的 5v
DL
电压 从 atx 电源 供应 5v/5v
SB
符合 至 s5# 和 s3# 信号. 和 用户
也 能 转变 止 这 全部的 5v
DL
输出 在 s5 状态 通过 5v
DLEN
# 管脚 如果 需要.
下面 这 模式 一个 运作, the 碎片 提供 一个 直线的 控制 str1 那 驱动 一个
n-频道 场效应晶体管 q3 (谈及 至 figure) 至 发生 一个 regulated 电压 2.5v
双
从 一个
外部 电源 源 3.3v
双
, 这 2.5 v
双
是 提供 为 rdram/ddram acpi
suspend 至 内存 应用. 和 在 顺序至 simply 这 电路 设计 和 减少
客户’s 费用, 这 w83301r 也 合并一个 总线 末端 控制 bt 驱动 二
外部 n-频道 mosfets (q4, q5) 至发生 一个 明确的 交流pi-一致的 电压
符合 至 一个 half 的 str1 输出 为 sourcing 和 sinking 总线 redundant 电流.
下面 这 模式 b 运作, the 碎片 提供 三 直线的控制者, 那 是 str1-
2.5v
双
, str2- 3.3 v
双
, 和 str3- 1.8v
双
, 所有 的 这 三输出 驱动 一个 n-
频道 场效应晶体管 (q3, q4, 和 q5) 至 发生一个 acpi-一致的 电压 用 不同的
产品. 此类 作 str1- 2.5v
双
为 时钟 发生器 应用, str2- 3.3 v
双
为 sdram 应用, 和 str3- 1.8v
双
chipset 应用.
besides, 作 显示 在 表格 1 这 w83301r al所以 提供 一个 触发-state 管脚 vset1 至 偏差
一个 extra 电压 向上 至 0.2v 在 各自 输出为 更多 效能 但是 下面 模式 一个
运作, 这 bt 输出 voltage 将 发生 符合 至 一个 half 的 str1 输出 设置 用
vset1.
表格 1.
w83301r 控制 表格
模式 VSET0 VSET1 STR1 总线 末端 控制 Remark
0v 0v 2.5v
双
1.25v
双
0v nc 2.6v
双
1.30v
双
一个
0v 5v 2.7v
双
1.35v
双
-str1 输出 为 rdram/ddram 电压
-总线 末端 控制 为 记忆 总线
redundant 电流 sinking 和 sourcing.
模式 VSET0 VSET1 STR1 STR2 STR3 Remark
5v 5v 2.5v
双
3.3v
双
1.8v
双
5v nc 2.6v
双
3.4v
双
1.8v
双
B
5v 0v 2.7v
双
3.5v
双
1.8v
双
-str1 输出 为 时钟 gen. 电压
-str2 输出 为 sdram 电压
-str3 输出 为 chipset 电压
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