565NM_集成电路资料查询网

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engineering catalog 169
技术的 数据 5v/12v led 和 内部的 阻抗
单位
绝对 最大
比率
(ta=25
o
c)
590nm
(磷砷化镓/间隙)
660nm
(gaalas)
625nm
(磷砷化镓/间隙)
反转 电压
向前 电流 (顶峰)
t
≤
10us
减额 直线的 从 50
o
C
电源 消耗
运行/存储
温度
单位
运行
特性
(ta=25
o
c)
590nm
(磷砷化镓/间隙)
660nm
(gaalas)
625nm
(磷砷化镓/间隙)
5
150
0.7
310
-40 至 +85
5
150
0.7
310
-40 至 +85
5
150
0.7
310
-40 至 +85
5
200
0.35
300
-40 至 +85
V
毫安
毫安
mW
o
C
12
11
10
625
45
12
11
10
590
35
12
11
10
565
30
13
10
10
660
20
毫安
毫安
uA
nm
nm
565nm
(间隙)
向前 电流 (典型值)
VF=5V
VF=12V
反转 电流
V
R
=5v
wavelength 在 顶峰
Emmission
I
F
=20mA
spectraline half-宽度
I
F
=20mA
565nm
(间隙)
相关的 强烈 vs. wavelength
87

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电话: 781-935-4442 sales@gilway.com 传真: 781-938-5867 www.gilway.com engineering catalog 169 技术的数据 5v/12v led 和内部的阻抗单位绝对最大比率 (ta=25 o c) 590nm (磷砷化镓/间隙) 660nm (gaalas) 625nm (磷砷化镓/间隙) 反转电压向前电流 (顶峰) t ≤ 10us 减额直线的从 50 o C 电源消耗运行/存储温度单位运行特性 (ta=25 o c) 590nm (磷砷化镓/间隙) 660nm (gaalas) 625nm (磷砷化镓/间隙) 5 150 0.7 310 -40 至 +85 5 150 0.7 310 -40 至 +85 5 150 0.7 310 -40 至 +85 5 200 0.35 300 -40 至 +85 V 毫安毫安 mW o C 12 11 10 625 45 12 11 10 590 35 12 11 10 565 30 13 10 10 660 20 毫安毫安 uA nm nm 565nm (间隙) 向前电流 (典型值) VF=5V VF=12V 反转电流 V R =5v wavelength 在顶峰 Emmission I F =20mA spectraline half-宽度 I F =20mA 565nm (间隙) 相关的强烈 vs. wavelength 87

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