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资料编号:714891
 
资料名称:WS57C256F-55D
 
文件大小: 49.1K
   
说明
 
介绍:
HIGH SPEED 32K x 8 CMOS EPROM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SYMBOLS 参数 最小值 典型值 最大值 单位
t
地址 建制 时间 2 µs
t
COH
ce 高 至 oe 高 2 µs
t
OES
输出 使能 建制 时间 2 µs
t
OS
数据 建制 时间 2 µs
t
AH
地址 支撑 时间 0 µs
t
OH
数据 支撑 时间 2 µs
t
DF
碎片 使不能运转 至 输出 float 延迟 0 130 ns
t
OE
数据 有效的 从 输出 使能 130 ns
t
VS
/t
CES
V
PP
建制 时间/ce 建制 时间 2 µs
t
PW
pgm 脉冲波 宽度 100 200 µs
t
OCX
oe 低 至 ce "don't 小心" 2 µs
WS57C256F
3-16
程序编制 信息
直流 特性
(t
一个
= 25 ± 5°c, v
CC
= 6.25 v ± 0.25 v, v
PP
= 12.75 ± 0.25 v)
SYMBOLS 参数 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流
–10 10 µA
(v
= v
CC
或者 地)
I
PP
V
PP
供应 电流 在
60 毫安
程序编制 脉冲波 (ce/pgm = v
IL
)
I
CC
V
CC
供应 电流 (便条 8) 35 毫安
V
OL
输出 低 电压 在 核实
0.4 V
(i
OL
= 16 毫安)
V
OH
输出 高 电压 在 核实
2.4 V
(i
OH
= –4 毫安)
交流 特性
(t
一个
= 25 ± 5°c, v
CC
= 6.25 v ± 0.25 v, v
PP
= 12.75 ± 0.25 v)
程序编制 波形
地址 稳固的
地址
V
PP
V
PP
V
CC
ce/pgm
数据
t
t
PW
t
OS
t
OH
t
OE
t
AH
t
DF
t
VS
t
CES
t
OES
t
OCX
t
COH
数据 输出
数据 在 稳固的
OE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
有效的
高 z
便条:
8. V
CC
必须 是 应用 也 coincidentally 或者 在之前 v
PP
和 移除 也 coincidentally 或者 之后 v
PP
.
9. V
PP
必须 不 是 更好 比 13 伏特 包含 越过. 在 ce = pgm = v
IL
, v
PP
必须 不 是 切换 从 5 伏特 至
12.5 伏特 或者 恶行-对抗.
10. 在 电源 向上 这 pgm 管脚 必须 是 brought 高 (
V
IH
) 也 coincident 和 或者 在之前 电源 是 应用 至 v
PP
.
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