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产品 预告(展)
july 2002
这个 是 初步的 信息 在 一个 新 产品 now 在 开发. 详细信息 是 主题 至 改变 没有 注意.
M36WT864TF
M36WT864BF
64 mbit (4mb x16, 多样的 bank, burst) flash 记忆
和 8 mbit (512k x16) sram, 多样的 记忆 产品
特性 summary
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供应 电压
–V
DDF
= 1.65v 至 2.2v
–V
DDS
= v
DDQF
= 2.7v 至 3.3v
–V
PPF
= 12v 为 快 程序 (optional)
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进入 时间: 70, 85, 100ns
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低 电源 消耗量
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电子的 signature
– 生产者 代号: 20h
– 顶 设备 代号, m36wt864tf: 8810h
– bottom 设备 代号, m36wt864bf: 8811h
flash 记忆
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程序编制 时间
– 8µs 用 文字 典型 为 快 工厂 程序
– 翻倍/quadruple 文字 程序 选项
– 增强 工厂 程序 选项
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记忆 blocks
– 多样的 bank 记忆 排列: 4 mbit banks
– 参数 blocks (顶 或者 bottom location)
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双 行动
– 程序 擦掉 在 一个 bank 当 读 在
其他
– 非 延迟 在 读 和 写 行动
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块 locking
– 所有 blocks 锁 在 电源 向上
– 任何 结合体 的 blocks 能 是 锁
–WP
为 块 锁-向下
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安全
– 128 位 用户 可编程序的 otp cells
– 64 位 唯一的 设备 号码
– 一个 参数 块 permanently lockable
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一般 flash 接口 (cfi)
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100,000 程序/擦掉 循环 每
块
SRAM
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8 mbit (512k x 16 位)
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equal 循环 和 进入 时间: 70ns
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低 备用物品 电流
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低 v
DDS
数据 保持: 1.5v
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触发-状态 一般 i/o
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自动 电源 向下
图示 1. 包装
FBGA
stacked lfbga96 (za)
8 x 14mm
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