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资料编号:72013
 
资料名称:LTC3405AES6-1.8
 
文件大小: 235.52K
   
说明
 
介绍:
1.5V, 1.8V, 1.5MHz, 300mA Synchronous Step-Down Regulators in ThinSOT
 
 


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9
ltc3405a-1.5/ltc3405a-1.8
sn3405a1518 3405a1518fs
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
在哪里 l1, l2, 等 是 这 单独的 losses 作 一个 percentage
的 输入 电源.
虽然 所有 dissipative elements 在 这 电路 生产
losses, 二 主要的 来源 通常地 账户 为 大多数 的 这
losses 在 ltc3405a
序列 部分
电路: v
安静的
电流 和 i
2
r losses. 这 v
安静的 电流 丧失
支配 这 效率 丧失 在 非常 低 加载 电流
whereas 这 i
2
r 丧失 支配 这 效率 丧失 在
中等 至 高 加载 电流. 在 一个 典型 效率 plot,
这 效率 曲线 在 非常 低 加载 电流 能 是
misleading 自从 这 真实的 电源 lost 是 的 非 conse-
quence 作 illustrated 在 图示 3.
铝 electrolytic 和 dry tantalum 电容 是
两个都 有 在 表面 挂载 配置. 在 这 情况
的 tantalum, 它 是 核心的 那 这 电容 是 surge 测试
为 使用 在 切换 电源 供应. 一个 极好的 选择 是
这 avx tps 序列 的 表面 挂载 tantalum. 这些 是
specially 构成 和 测试 为 低 等效串联电阻 所以 它们 给
这 最低 等效串联电阻 为 一个 给 容积. 其它 电容 类型
包含 sanyo poscap, kemet t510 和 t495 序列, 和
sprague 593d 和 595d 序列. 咨询 这 生产者
为 其它 明确的 recommendations.
使用 陶瓷的 输入 和 输出 电容
高等级的 值, 更小的 费用 陶瓷的 电容 是 now
becoming 有 在 小 情况 sizes. 它们的 高 波纹
电流, 高 电压 比率 和 低 等效串联电阻 制造 它们 完美的
为 切换 调整器 产品. 因为 这 ltc3405a
序列’ 控制 循环 做 不 取决于 在 这 输出
电容’s 等效串联电阻 为 稳固的 运作, 陶瓷的 电容
能 是 使用 freely 至 达到 非常 低 输出 波纹 和
小 电路 大小.
小心 必须 是 带去 当 陶瓷的 电容 是 使用 在
这 输入 和 这 输出. 当 一个 陶瓷的 电容 是 使用
在 这 输入 和 这 电源 是 有提供的 用 一个 wall adapter
通过 长 线, 一个 加载 步伐 在 这 输出 能 induce
ringing 在 这 输入, v
. 在 最好的, 这个 ringing 能 couple 至
这 输出 和 是 mistaken 作 循环 instability. 在 worst, 一个
sudden inrush 的 电流 通过 这 长 线 能
可能地 导致 一个 电压 尖刺 在 v
, 大 足够的 至
损坏 这 部分.
当 choosing 这 输入 和 输出 陶瓷的 电容,
choose 这 x5r 或者 x7r dielectric formulations. 这些
dielectrics 有 这 最好的 温度 和 电压 charac-
teristics 的 所有 这 ceramics 为 一个 给 值 和 大小.
效率 仔细考虑
这 效率 的 一个 切换 调整器 是 equal 至 这
输出 电源 分隔 用 这 输入 电源 时间 100%. 它 是
常常 有用的 至 analyze 单独的 losses 至 决定 what
是 限制的 这 效率 和 这个 改变 将 生产
这 大多数 改进. 效率 能 是 表示 作:
效率 = 100% – (l1 + l2 + l3 + ...)
图示 3. 电源 lost vs 加载 电流
加载 电流 (毫安)
0.1
电源 lost (w)
10
1000
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
3405a1518 f03
1 100
V
输出
= 1.8v
V
= 3.6v
V
输出
= 1.5v
1. 这 v
安静的 电流 是 预定的 至 二 组件:
这 直流 偏差 电流 作 给 在 这 电的 character-
istics 和 这 内部的 主要的 转变 和 同步的
转变 门 承担 电流. 这 门 承担 电流
结果 从 切换 这 门 电容 的 这
内部的 电源 场效应晶体管 switches. 各自 时间 这 门 是
切换 从 高 至 低 至 高 又一次, 一个 小包装板盒 的
承担, dq, moves 从 v
至 地面. 这 结果
dq/dt 是 这 电流 输出 的 v
那 是 典型地 大 比
这 直流 偏差 电流. 在 持续的 模式, i
GATECHG
=
f(q
T
+ q
B
) 在哪里 q
T
和 q
B
是 这 门 charges 的 这
内部的 顶 和 bottom switches. 两个都 这 直流 偏差 和
门 承担 losses 是 均衡的 至 v
和 因此
它们的 影响 将 是 更多 pronounced 在 高等级的 供应
电压.
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