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资料编号:720939
 
资料名称:MAX1773EUP
 
文件大小: 397.77K
   
说明
 
介绍:
Power Source Selector for Dual-Battery Systems
 
 


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_______________________________________________________________________________________ 3
max1773/max1773a
电源 源 选择 为
双-电池 系统
电的 特性 (持续)
(v
BATA
= v
BATB
= 16.8v, c
VDD
= 3.3µf, v
MINV
= 0.93v, v
EXTLD
= v
ACDET
= 28v, v
TCOMP
= 3v, v
THMA
= v
THMB
= 1.65v,
V
BATSEL
= 0, c
COMA
= c
COMB
= c
DISA
= c
DISB
= c
CHGA
= c
CHGB
= c
PDS
= 5nf,
T
一个
= 0
°
c 至 +85
°
c,
除非 否则 指出.)
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
tcomp 输入 泄漏 电流 V
TCOMP
= 5.5v 0.1 100 nA
thm_ 至 tcomp trip 门槛 thm_ 下落 和 遵守 至 tcomp -30 +30 mV
thm_ 至 tcomp hysteresis 15 50 mV
acdet 运行 电压 范围 (便条 3) 2.2 28.0 V
acdet 逻辑 门槛 高 2.2 V
V
ACDET
= 3v, v
ACDET
< v
BATA
和 v
BATB
48
V
ACDET
= 3v, v
ACDET
< v
BATB
, v
BATA
= 0 5 9acdet 输入 偏差 电流
V
ACDET
= 28v, v
ACDET
> v
BATA
和 v
BATB
611
µA
acdet 至 bata trip 门槛 V
ACDET
下落 和 遵守 至 v
BATA
0 50 100 mV
acdet 至 bata hysteresis 100 150 200 mV
acdet 至 batb trip 门槛 V
ACDET
下落 和 遵守 至 v
BATB
0 50 100 mV
acdet 至 batb hysteresis 100 150 200 mV
minv 运行 电压 范围 V
BATA
= v
BATB
= 5
×
V
MINV
0.93 2.60 V
minv 输入 偏差 电流 V
MINV
= 0.93v 至 2.6v -100 +100 nA
V
MINV
= 0.93v 4.55 4.65 4.75
bat_ 最小 电压 trip 门槛 V
BAT
_
下落
V
MINV
= 2.6v 12.7 13 13.3
V
batsel 输入 低 电压 典型 hysteresis 是 100mv 0.8 V
batsel 输入 高 电压 2.0 V
batsel 输入 泄漏 电流 V
BATSEL
= 5.5v 1 µA
batsel action 延迟 20 100 µs
门 驱动器
com_ 最初的 源 电流 V
BAT
_ = 16.8v, v
COM
_ = 14.8v 5 毫安
V
BAT
_ = 16.8v, v
COM
_ = 16.4v 10
com_ 最终 源 电流
V
BAT
_ = 16.8v, v
COM
_ = 14.8v 50 100 150
µA
com_ 下沉 电流 (pmos 转变-在) V
COM
_ = 11.8v, v
BAT
_ = 16.8v (便条 4) 4 毫安
V
BAT
_ = 8v 至 19v -11.5 -9.5 -7.5
com_ 转变-在 clamp 电压
(v
COM
_ 至 v
BAT
_)
V
BAT
_ = 4.75v 至 8v -8.00 -4.25
V
pds 源 电流 (pmos 转变-止) V
PDS
= 10v, v
EXTLD
= 12v 5 毫安
pds 下沉 电流 (pmos 转变-在) V
PDS
= 2v 至 28v 0.8 1.0 1.2 毫安
pds 泄漏 电流 (pmos 止) V
PDS
= 28v 0.1 2 µA
chg_ 下沉 电流 (pmos 转变-在) V
CHG
_ = 2v 至 22v 0.7 1.0 1.3 毫安
chg_ 泄漏 电流 (pmos 止) V
CHG
_ = 28v 0.1 2 µA
dis_ 最初的 源 电流 V
EXTLD
= 15v, v
DIS
_ = 13v 5 毫安
V
EXTLD
= 15v, v
DIS
_ = 14.6v 10
dis_ 最终 源 电流
V
EXTLD
= 15v, v
DIS
_ = 13v 50 100 150
µA
dis_ 下沉 电流 (pmos 转变-在) V
EXTLD
= 16.8v, v
DIS
_ = 11.8v (便条 5) 4 毫安
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