电的 特性
XC9210B093
(fosc = 300khz) Ta=25
O
C
VOUT
除非 否则 陈述, vdd = 3.0v, ce = 3.0v, pwm = 3.0v, fb = 3.0v, ext1, 2=open, 模式 = 3.0v, vin=4.2v
注释 1)
2)
3)
tr1 : CPH3308 (sanyo)
tr2 : CPH3408 (sanyo)
l :
22
µ
H
(sumida cdrh125)
cl :
16v, 47
µ
f x 2
(nichicemi tantalum mce 序列)
cin :
16v, 47
µ
F
(nichicemi tantalum mce 序列)
rfb1 : 200k
Ω
rfb2 : 75k
Ω
cfb : 62pF
4
-0%
2
最小 职责 比率 MINDTY 一样 作 idd2 -
--%
2
最大 职责 比率 MAXDTY 一样 作 idd1 100
- 2.0 V
1
最小 运作 电压 VINmin -
0.900 0.918 V
3
fb 电压 VFB vin=3.0v, iout=10ma 0.882
--
请 是 细致的 不 至 超过 这 损坏 电压 水平的 的 这 附带的 部分.
effi={ [ (输出 电压) x (输出 current) ] / [ (input voltage) x (input current) ] } x 100
fb "低" 电流
2
31
-1930
5
-
VIN
≥
2.0v, 模式 = 0v, iout=1ma
-v
4
2
ext2 = vdd - 0.4v
Ω
ifbhfb "高" 电流
模式 "低" 电流
模式 "高" 电流
IMODEL
ce "低" 电流
icehce "高" 电流
pwm "低" 电流
pwm "高" 电流
IMODEH
VOUTSET
ext2 "高" 在 阻抗
ext1 "低" 在 阻抗
ext1 "高" 在 阻抗
软-开始 时间
REXTBH2
REXTBL2
VMODEH
VMODEL
VPWMH
VPWML
IFBL
- 0.5
- - - 0.5
-fb = 1.0v
模式 = 0v
-
ext2 "低" 在 阻抗
pwm "高" 电压 非 加载
Ω
5
2
Ω
5
4
4
µ
一个
2
µ
一个
2
19 30
µ
一个
- - 0.50
0.50
µ
一个
µ
一个
v-
最小值
xc9210 序列
同步的 步伐-向下 直流 / 直流 控制 ics
µ
一个
2
-
0.20
4
--
模式 "低" 电压
0.65
pwm "低" 电压 非 加载 -
非 加载 0.65mode "高" 电压
非 加载 -
REXTBL1
Ω
REXTBH1
V
- 0.20 V
ce = 0v, ext2 = vdd - 0.4v
-23
ce1 = 0, ext1= vdd - 0.4v -
fb = 0v, ext1 = 0.4v -
4
10.0 20.0
5
26 37
VOUT
×
0.95v, ce=0v
→
0.65v
5.0tss
%EFFI
mS
96 -iout1=300ma (便条 3) -efficiency1 (便条 2 )
%
4
30 38no 加载, vpwm=0v 22pfmdtypfm 职责 比率
4
PWM=0V -
µ
一个
2
IPWML
µ
一个
2
- 0.5-ipwmh
- - 0.5
- 0.5ce = 0v -icel
- 0.5-
V
2
- 0.2fb = 0v -vcelce "低" 电压
V
2
--fb = 0v 0.65vcehce "高" 电压
kHz
2
300 345same 作 idd1 255foscoscillation 频率
µ
一个
2
- 3.0same 作 idd1, ce = 0v -istbstand-用 电流
µ
一个
2
65 120fb = 1.0v -idd2supply 电流 2
µ
一个
2
fb = 0vidd1 120-65
1
--
供应 电流 1
V
1
- vin0.9
输出 电压 范围(便条 1)
V
V
2.0 - 10.0
SYMBOLPARAMETER
模式 = 0v 10.0maximum 输入 电压
VDD
VIN
1
模式 = 0vsupply 电压
情况 单位
测试
电路
最大值.典型值.
半导体 有限公司.
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