u
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n-频道 电源 mos 场效应晶体管
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dmos 结构
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低 在-状态 阻抗: 0.105
Ω
最大值
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门 保护 二极管 建造-在
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过激 高-速 切换
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sot-89 包装
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产品
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notebook pcs
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cellular 和 可携带的 phones
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在-板 电源 供应
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li-ion 电池 系统
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一般 描述
这 XP161A11A1PR 是 一个 n-频道 电源 MOS 场效应晶体管 和 低 在-状态
阻抗 和 过激 高-速 切换 特性.
因为 高-速 切换 是 可能, 这 IC 能 是 efficiently 设置
因此 节省 活力.
在 顺序 至 计数器 静态的, 一个 门 保护 二极管 是 建造-在.
这 小 sot-89 包装 制造 高 密度 挂载 可能.
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特性
低 在-状态 阻抗:
rds(在)=0.065
Ω
(vgs=10v)
rds(在)=0.105
Ω
(vgs=4.5v)
过激 高-速 切换
门 保护 二极管 建造-在
运算的 电压:
4.5v
高 密度 挂载:
sot-89
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绝对 最大 比率
■
相等的 电路
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管脚 配置
参数
流-源 电压
门-源 电压
流 电流 (直流)
流 电流 (脉冲波)
反转 流 电流
持续的 频道
电源 消耗 (便条)
频道 温度
存储 温度
Vdss
Vgss
Id
Idp
Idr
Pd
Tch
Tstg
30
±
20
4
16
4
2
150
-55~150
V
V
一个
一个
一个
W
:
:
标识 比率
单位
■
管脚 分派
管脚
号码
管脚
名字
函数
1
3
2
G
S
D
门
源
流
Ta=25
:
当 执行 在 一个 陶瓷的 pcb
便条:
1 32
n-频道 mos 场效应晶体管
(1 设备 建造-在)
1
G
3
S
2
D
sot-89
(顶 视图)
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