首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:72884
 
资料名称:2SK3216-01
 
文件大小: 142.91K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
 
 


: 点此下载
  浏览型号2SK3216-01的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号2SK3216-01的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号2SK3216-01的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3
2sk3216-01
fuji 电源 场效应晶体管
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
最大值
典型值
流-源 在-状态 阻抗
rds(在)=f(tch):id=25a,vgs=10v
rds(在)[m
]
tch [°c]
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
vgs(th) [v]
tch [°c]
门 门槛 电压 vs. tch
vgs(th)=f(tch):vds=vgs,id=1ma
最小值
典型值
最大值
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100p
1n
10n
100n
典型 capacitances
c=f(vds):vgs=0v,f=1mhz
c [f]
vds [v]
Ciss
Coss
Crss
0 20 40 60 80 100 120 140 160
0
5
10
15
20
25
20V
50V
Vcc=80V
典型 门 charge 特性
vgs=f(q
g):id=50a,tch=25°c
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
vds [v]
vgs [v]
qg [nc]
VGS
VDS
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
典型 向前 特性 的 反转 二极管
-id=f(vsd):80µs 脉冲波 测试,tch=25°c
10V
5V
VGS=0V
-id [a]
vsd [v]
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
1
10
2
10
3
10
4
t [ns]
id [a]
td(止)
tf
tr
td(在)
典型 switching 特性 vs. id
t=f(id):vcc=48v,vgs=10v,rg=10
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com