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®
XTR110
xtr110ag, kp, ku XTR110BG
参数 情况 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
传输者
转移 函数
输入 范围: v
IN1
(5)
指定 效能 0 +10 * * V
V
IN2
指定 效能 0 +5 * * V
电流, i
O
指定 效能
(1)
420* *mA
derated 效能
(1)
040* *mA
非线性 16ma/20ma span
(2)
0.01 0.025 0.002 0.005 % 的 span
补偿 电流, i
OS
I
O
= 4ma
(1)
最初的
(1)
0.2 0.4 0.02 0.1 % 的 span
vs 温度
(1)
0.0003 0.005 * 0.003 % 的 span/
°
C
vs 供应, v
CC
(1)
0.0005 0.005 * * % 的 span/v
span 错误 I
O
= 20ma
最初的
(1)
0.3 0.6 0.05 0.2 % 的 span
vs 温度
(1)
0.0025 0.005 0.0009 0.003 % 的 span/
°
C
vs 供应, v
CC
(1)
0.003 0.005 * * % 的 span/v
输出 阻抗 从 流 的 场效应晶体管 (q
EXT
)
(3)
10
x
10
9
*
Ω
输入 阻抗 V
IN1
27 * k
Ω
V
IN2
22 * k
Ω
V
REF
在 19 * k
Ω
动态 回馈
安排好 时间 至 0.1% 的 span 15 *
µ
s
至 0.01% 的 span 20 *
µ
s
回转 比率 1.3 * 毫安/
µ
s
电压 涉及
输出 电压 +9.95 +10 +10.05 +9.98 * +10.02 V
vs 温度 35 50 15 30 ppm/
°
C
vs 供应, v
CC
线条 规章制度 0.0002 0.005 * * %/v
vs 输出 电流 加载 规章制度 0.0005 0.01 * * %/毫安
vs 时间 100 * ppm/1k hrs
修整 范围 –0.100 +0.25 * * V
输出 电流 指定 效能 10 * 毫安
电源 供应
输入 电压, v
CC
+13.5 +40 * * V
安静的 电流 excluding i
O
3 4.5 * * 毫安
温度 范围
规格: ag, bg –40 +85 * *
°
C
kp, ku 0 +70
°
C
运行: ag, bg –55 +125 * *
°
C
kp, ku –25 +85
°
C
规格
电的
在 t
一个
= +25
°
c 和 v
CC
= +24v 和 r
L
= 250
Ω
**, 除非 否则 指定.
I
O
= 10 [(v
REF
在/16) + (v
IN1
/4) + (v
IN2
/2)] /r
SPAN
* 规格 一样 作 ag/kp grades. ** 规格 应用 至 这 范围 的 r
L
显示 在 典型 效能 曲线.
注释: (1) 包含 内部的 涉及. (2) span 是 这 改变 在 输出 电流 结果 从 一个 full-scale 改变 在 输入 电压. (3) 在里面 遵从 范围 限制
用 (+v
CC
– 2v) +v
DS
必需的 为 直线的 运作 的 这 场效应晶体管. (4) 为 v
REF
调整 电路 看 图示 3. (5) 为 扩展 i
REF
驱动 电路 看 图示 4. (5) 单位 将
是 损坏. 看 部分, “input 电压 range”.
任何 integral 电路 能 是 损坏 用 静电释放. 芒刺-褐色
推荐 那 所有 整体的 电路 是 处理 和
适合的 预防措施. 失败 至 注意到 恰当的 处理
和 安装 程序 能 导致 损坏.
静电释放 损坏 能 范围 从 不明显的 效能 毁坏-
tion 至 完全 设备 失败. 精确 整体的 电路
将 是 更多 敏感 至 损坏 因为 非常 小
参数 改变 可以 导致 这 设备 不 至 满足
发行 规格.
静电的
释放 敏锐的
绝对 最大 比率
电源 供应, +v
CC
............................................................................ 40V
输入 电压, v
IN1
, v
IN2
, v
ref 在
....................................................... +V
CC
看 text 关于 safe 负的 输入 电压 范围.
存储 温度 范围: 一个, b ................................ –55
°
c 至 +125
°
C
k, u ................................. –40
°
c 至 +85
°
C
含铅的 温度
(焊接, 10s) g, p ................................................................... 300
°
C
(波 焊接, 3s) u ................................................................ 260
°
C
输出 短的-电路 持续时间, 门 驱动
和 v
REF
强迫 ................................ 持续的 至 一般 和 +v
CC
输出 电流 使用 内部的 50
Ω
电阻 .................................... 40mA
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