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5
三月. 2002
ZA2030
AAM
TM
30w 类-d bridged 音频的 amplifier
表格 1: bill 的 材料
item qty 描述 vendor / 部分 # Designation
电阻器
1 6
10K
Ω
,
±
5% 1/4w, 含铅的
任何 rop
2 1
1K
Ω
,
±
5% 1/4w, 含铅的
任何 rxp
3 2
135
Ω
,
±
5% 1/4w, 含铅的
任何 ra1, ra2
4 2
30K
Ω
,
±
5% 1/4w, 含铅的
任何 rb1, rb2
电容
5 5 1µf, 16v, electrolytic, 含铅的 任何 ce,, ci1, cp
6 1 1µf, 50v, 陶瓷的, 含铅的 任何 CF
7 2 0.22µf, 16v, 陶瓷的, 含铅的 任何 CBS
8 2 2.2nf, 16v, 陶瓷的, 含铅的 任何 Cint
9 1 10µf, 50v, electrolytic, 含铅的 任何 CVcc1
10 4 1µf, 50v, 陶瓷的, 含铅的 任何 cvcc, cf,
11 2 100pf, 50v, 陶瓷的, 含铅的 任何 ca1, ca2
半导体
12 1 1n5231, 齐纳 二极管,  5% 任何 d1 (c2)
整体的 电路
13 1 za2030 20 管脚 插件 vimicro 公司 Vimicro
 1 lm833 音频的 双 运算-放大 国家的 半导体 NSC
磁性材料
14 2 39uh, 3a inductor, 含铅的 任何 L
硬件
15 1 插座, 20-管脚 插件 任何 n/一个
16 1 pcb, 单独的-sided, za2030eval, rev
一个
任何 n/一个

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5 三月. 2002 ZA2030 AAM TM 30w 类-d bridged 音频的 amplifier 表格 1: bill 的材料 item qty 描述 vendor / 部分 # Designation 电阻器 1 6 10K Ω , ± 5% 1/4w, 含铅的任何 rop 2 1 1K Ω , ± 5% 1/4w, 含铅的任何 rxp 3 2 135 Ω , ± 5% 1/4w, 含铅的任何 ra1, ra2 4 2 30K Ω , ± 5% 1/4w, 含铅的任何 rb1, rb2 电容 5 5 1µf, 16v, electrolytic, 含铅的任何 ce,, ci1, cp 6 1 1µf, 50v, 陶瓷的, 含铅的任何 CF 7 2 0.22µf, 16v, 陶瓷的, 含铅的任何 CBS 8 2 2.2nf, 16v, 陶瓷的, 含铅的任何 Cint 9 1 10µf, 50v, electrolytic, 含铅的任何 CVcc1 10 4 1µf, 50v, 陶瓷的, 含铅的任何 cvcc, cf, 11 2 100pf, 50v, 陶瓷的, 含铅的任何 ca1, ca2 半导体 12 1 1n5231, 齐纳二极管,  5% 任何 d1 (c2) 整体的电路 13 1 za2030 20 管脚插件 vimicro 公司 Vimicro 1 lm833 音频的双运算-放大国家的半导体 NSC 磁性材料 14 2 39uh, 3a inductor, 含铅的任何 L 硬件 15 1 插座, 20-管脚插件任何 n/一个 16 1 pcb, 单独的-sided, za2030eval, rev 一个任何 n/一个

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