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资料编号:73169
 
资料名称:GLT725608-12FB
 
文件大小: 1119.25K
   
说明
 
介绍:
Ultra High Performance 32K x 8 Bit CMOS STATIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
G-lINK
GLT725608
过激 高 效能 32k x 8 位 cmos 静态的 内存
二月, 2001(rev.2.4)
g-link 技术
2701 northwestern parkway
santa clara, ca 95051, 美国
g-link 技术 公司, 台湾
6f, 非. 24-2, 工业 e, rd, iv, science 为基础
工业的 园区,hsin chu, 台湾.
直流 特性
sym. 参数 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
V
IL
有保证的 输入 低
电压
(2)
-0.3 - +0.8 V
V
IH
有保证的 输入 高
电压
(2)
2.2 - V
CC
+0.3 V
I
LI
输入 泄漏 电流 V
CC
= 最大值., v
=0v 至 v
CC
-5 - 5
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流
V
CC
= 最大值.,
CE
V
IH
-5 - 5
µ
一个
V
OL
输出 低 电压 V
CC
= 最小值., i
OL
=8mA - - 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 V
CC
= 最小值., i
OH
=-4ma 2.4 - - V
I
CC
运行 电源 供应
电流
V
CC
= 最大值.,
CE
V
IL
,
I
i/o
=0ma., f=F
最大值
(3)
- - -12 -15 -20
160 150 120 毫安
I
CCSB
备用物品 电源 供应
电流
V
CC
= 最大值.,
CE
V
IH
,
I
i/o
=0ma., f=F
最大值
(3)
- -
40 30 20 毫安
I
CCSB1
电源 向下 电源
供应 电流
V
CC
= 最大值.,
CE
V
CC
.-0.2v,
V
V
CC
. -0.2v 或者
- - 10 1010 毫安
1. 典型 特性 是 在 v
CC
=5v, t
一个
=25
2. 这些 是 绝对 值 和 reject 至 设备 地面 和 所有 overshoots 预定的 至 系统 或者
tester 噪音 是 包含.
3. f
最大值
=1/t
RC
.
数据 保持
sym. 参数 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
V
DR
V
CC
为 数据 保持
CE
V
CC
-0.2v,
V
V
CC
-0.2v 或者 v
0.2v
2.0 - 5.5 V
I
CCDR
(1)
数据 保持 电流 V
DR
=2.0v - 30
µ
一个
V
DR
=3.0v 50
µ
一个
t
CDR
碎片 deselect 至 数据
保持 时间 看 保持 波形
0 - - ns
t
R
运行 恢复 时间 t
RC
(2)
- - ns
1.
CE
V
DR
-0.2v, v
V
DR
-0.2v 或者 v
0.2v.
2.t
RC
=读 循环 时间.
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