G-lINK
GLT725608
过激 高 效能 32k x 8 位 cmos 静态的 内存
二月, 2001(rev.2.4)
g-link 技术
2701 northwestern parkway
santa clara, ca 95051, 美国
g-link 技术 公司, 台湾
6f, 非. 24-2, 工业 e, rd, iv, science 为基础
工业的 园区,hsin chu, 台湾.
-8-
订货 信息
部分 号码 速 电源 包装
glt725608-12j3 12ns 正常的 soj 300mil 28l
glt725608-15j3 15ns 正常的 soj 300mil 28l
glt725608-20j3 20ns 正常的 soj 300mil 28l
glt725608-12ts 12ns 正常的 tsop 28l
glt725608-15ts 15ns 正常的 tsopi 28l
glt725608-20ts 20ns 正常的 tsopi 28l
glt725608-12tc 12ns 正常的 tsopii 28l
glt725608-15tc 15ns 正常的 tsopii 28l
glt725608-20tc 20ns 正常的 tsopii 28l
glt725608-12fb 12ns 正常的 sop 330mil 28l
glt725608-15fb 15ns 正常的 sop 330mil 28l
glt725608-20fb 20ns 正常的 sop 330mil 28l
部分 号码 (顶 mark)定义 :
glt 7 256 08i - 12 tc
4 : dram
6 : 标准
SRAM
7 : cache sram
8 : 同步的
burst sram
-sram
064 : 8k
256 : 256k
512 : 512k
100 : 1m
-dram
10 : 1m(c/edo)*
11 : 1m(c/fpm)*
12 : 1m(h/edo)*
13 : 1m(h/fpm)*
20 : 2m(edo)
21 : 2m(fpm)
40 : 4m(edo)
41 : 4m(fpm)
80 : 8m(edo)
81 : 8m(fpm)
160 : 16m(edo)
161 : 16m(fpm)
电压
blank : 5v
l : 3.3v
m : 2.5v
n : 2.1v
config.
04 : x04
08 : x08
16 : x16
32 : x32
速
-sram
12 : 12ns
15 : 15ns
20 : 20ns
70 : 70ns
-dram
35 : 35ns
40 : 40ns
45 : 45ns
50 : 50ns
60 : 60ns
包装
t : pdip(300mil)
ts : tsop(类型 i)
tc : tsop(类型ll)
pl : plcc
fa : 300mil sop
fb : 330mil sop
fc : 445mil sop
j3 : 300mil soj
j4 : 400mil soj
p : pdip(600mil)
q : pqfp
tq : tqfp
温度 范围
e : 扩展 温度
i : 工业的 温度
blank : 商业的 温度
: 点此下载
