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资料编号:732705
 
资料名称:ZHCS1000
 
文件大小: 163.23K
   
说明
 
介绍:
SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE ”SuperBAT”
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
绝对 最大 比率:
供应 电压 -0.3 至 10v
最大 电压 其它 管脚 -0.3 至 v
CC
+0.3v
电源 消耗 450mW
运行 温度 -40 至 85 °C
存储 温度 -55 至 125°c
ZXSC310
provisional 公布 一个 - 九月 2001
2
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
效率
1
94 %
V
CC
推荐 供应
电压 范围
0.8 8 V
V
cc(最小值)
最小 startup
运行 电压
I
驱动
=-600µa
,
V
驱动
=0.7v
I
驱动
=-600µa, V
驱动
=0.7v,
T
AMB
=-10°c3
0.8
0.9
0.92 V
I
Q
安静的 电流
2
V
EN =
V
CC
(使能)
V
EN =
0V (备用物品)
0.2
45
毫安
µA
I
VDRIVE
根基 驱动 电流 V
驱动
= 0.7v, V
ISENSE
= 0V 1.5 3.5 毫安
I
CC
供应 电流
3
V
驱动
= 0.7v, V
ISENSE
=0V 2 4 毫安
V
vdrive(高)
水平的 驱动 电压 V
ISENSE
=0v,i
VDRIVE
=-0.5ma V
CC
-0.3
V
CC
V
V
vdrive(低)
水平的 驱动 电压 V
ISENSE
= 50mv, I
VDRIVE
= 5mA 0 0.2 V
V
en(高)
设备 使能 0.7 V
V
en(低)
设备 备用物品 模式 0.15 V
I
EN
使能 输入 电流 -1 1 µA
V
ISENSE
(门槛)
输出 电流 涉及
电压
14 19 24 mV
T
CVISENSE
I
SENSE
电压 温度 co.
2
0.4 %/°c
I
ISENSE
I
SENSE
输入 电流 V
ISENSE
= 0V 0 -30 -65 µA
电的 特性:
测试 情况 除非 否则 陈述: v
CC
=1.5v, t
AMB
=25 C
标识
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
T
DRV
释放 脉冲波 宽度 1.2 1.7 3.2 µs
F
OSC
推荐 运行
频率
4
200 kHz
电的 特性: 交流 参数
2
测试 情况 除非 否则 陈述: v
CC
=1.5v, t
AMB
=0 至 70 C
1 应用 依赖, 看 涉及 设计
2 这些 参数 有保证的 用 设计
3 总的 供应 电流 =i
Q
+ i
VDRIVE
, 看 典型 特性
4 运行 频率 是 应用 电路 依赖. 看 产品 部分.
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