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资料编号:734752
 
资料名称:ZM-PTZ6.2B
 
文件大小: 286.04K
   
说明
 
介绍:
SILICON EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODES
 
 


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zm-ptz3.6b ~ zm-ptz36b
16
齐纳 电压 (v)
齐纳 电压 特性
10
Te
m
p
era
t
ur
e
co
ef
f
i
c
i
ent (
%
/
C
)
20
齐纳 电压 (v)
10
0
-0.08
4030
125-25 c
5
0
1
10
15
0.04
0
-0.04
齐纳 电压 - 温度
系数 特性
0.08
0.10
Iz=20mA
Iz=40mA
Ze
ne
r cu
r
r
ent
,
(一个
)
100
1m
4.7
4.3
5.1
3.9
3.6
10m
100m
5.6
15
12
11
13
6.2
6.8
8.2
7.5
10
9.1
20
25
30
35
40
18
20
22
24
27
30
33
36
1200
800
400
电源 d
i
ssipation
(m
w)
R
ise 在 di
ode 一个
表面
te
mper
ur
e
( c)
R
ise 在 di
ode 一个
表面
te
mper
ur
e
( c)
T
一个
(c)
0
50
87.5 100 200
150
0
单独的 部分
(不 挂载)
100
0.5w
挂载 quantity(pcs/基质)
1
10 100
0
1
1W
100
减额 曲线
陶瓷的 基质
82x30x1.0(mm)
glass 环氧的 基质
32x30x1.6(mm)
200
上升 在 表面 温度
1.5w
alumina 基质
114x124x1.6(mm)
200
glass 环氧的 基质
144x220x1.6(mm)
挂载 quantity(pcs/基质)
10 100
0.5w
上升 在 表面 温度
1.5w
1W
semtech electronics 有限公司.
( wholly owned subsidiary 的 honey 技术 有限公司.)
®
dated : 05/11/2003
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