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资料编号:738760
 
资料名称:BZT55C36
 
文件大小: 79.9K
   
说明
 
介绍:
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
telefunken 半导体
bzt55c...
4
rev. a1: 12.12.1994
04 81216
20
95 9604
0
20
40
60
80
100
i – z-电流 ( 毫安 )
Z
V
Z
– z-电压 ( v )
P
tot
=500mW
T
amb
=25
°
C
图示 7 : z–current vs. z–voltage
0 5 10 15 20
1
10
100
1000
r – 差别的 z-阻抗 ( )
Z
V
Z
– z-电压 ( v )
25
95 9606
T
j
=25
°
C
I
Z
=1mA
5mA
10mA
图示 9 : 差别的 z–resistance vs. z–voltage
15 20 25 30
0
10
20
30
40
50
i – z-电流 ( 毫安 )
Z
V
Z
– z-电压 ( v )
35
95 9607
P
tot
=500mW
T
amb
=25
°
C
图示 8 : z–current vs. z–voltage
1
10
100
1000
z – 热的 阻抗 为 脉冲波 cond. (k/w)
thp
t
p
– 脉冲波 长度 ( ms )
95 9603
10
–1
10
0
10
1
10
2
t
p
/t=0.5
t
p
/t=0.2
t
p
/t=0.1
t
p
/t=0.05
t
p
/t=0.02
t
p
/t=0.01
单独的 脉冲波
R
thJA
=300k/w
T=T
jmax
–T
amb
i
ZM
=(–v
Z
+(v
Z
2
+4r
zj
t/z
thp
)
1/2
)/(2r
zj
)
图示 10 : 热的 回馈
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