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资料编号:739298
 
资料名称:ZUMD54
 
文件大小: 64.83K
   
说明
 
介绍:
SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODES
 
 


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1

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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3010 200
+125°C
+85°C
ta - 包围的 温度 ( °c)
pd v ta 特性
pd - 电源 消耗 (mw)
0
90
180
270
330
ct v vr 特性
二极管 电容 ct (pf)
0
5
10
15
0 50 100 150
向前 电压 v
F
(v)
如果 v vf 特性
向前 电流 如果 (一个)
00.60.3
+125°C
10
µ
100
µ
1m
10m
100m
1
0.9
+85°C
+25°C
0.15 0.45 0.75
10
µ
100
µ
10m
1m
反转 电流 i
R
(一个)
反转 电压 v
R
(v)
I
R
v v
R
特性
反转 电压 vr (v)
020
10
30
1
µ
+25°C
典型 特性
ZUMD54
ZUMD54C
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