2002 二月 28 2
飞利浦 半导体 产品 规格
电压 调整器 二极管 bzv55 序列
特性
•
总的 电源 消耗: 最大值 500 mW
•
二 容忍 序列:
±
2%, 和 approx.
±
5%
•
working 电压 范围: nom. 2.4 至 75 v (e24 范围)
•
非-repetitive 顶峰 反转 电源 消耗:
最大值 40 w.
产品
•
低 电压 stabilizers 或者 电压 references.
描述
低-电源 电压 调整器 二极管 在 小 hermetically
sealed glass sod80c smd 包装. 这 二极管 是
有 在 这 normalized e24
±
2% (bzv55-b) 和
approx.
±
5% (bzv55-c) 容忍 范围. 这 序列
组成 的 37 类型 和 名义上的 working 电压 从
2.4 至 75 v.
columns
MAM215
ka
图.1 simplified 外形 (sod80c) 和 标识.
这 cathode 是 表明 用 一个 黄 带宽.
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
便条
1. 设备 挂载 在 一个 陶瓷的 基质 的 10
×
10
×
0.6 mm.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
F
持续的 向前 电流
−
250 毫安
I
ZSM
非-repetitive 顶峰 反转 电流 t
p
= 100
µ
s; 正方形的 波;
T
j
=25
°
c 较早的 至 surge
看 tables 1 和 2 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
50
°
c; 便条 1
−
400 mW
系-要点
≤
50
°
c; 便条 1
−
500 mW
P
ZSM
非-repetitive 顶峰 反转 电源
消耗
t
p
= 100
µ
s; 正方形的 波;
T
j
=25
°
c 较早的 至 surge; 看 图.3
−
40 W
T
stg
存储 温度
−
65 +200
°
C
T
j
接合面 温度
−
65 +200
°
C
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