sot223 n-频道 增强
模式 vertical dmos 场效应晶体管
公布 4 - october 1995
特性
* 240 volt bv
DS
* 极其 低 r
ds(在)
=4.3
Ω
* 低 门槛 和 快 切换
产品
* earth recall 和 dialling switches
* 电子的 hook switches
* 电池 powered 设备
* telecoms 和 高 电压 直流-直流 convertors
partmarking 详细信息 - ZVN4424
complementary 类型 - ZVP4424G
绝对 最大 比率.
参数 标识 值 单位
流-源 电压 V
DS
240 V
持续的 流 电流 在 t
amb
=25°C I
D
500 毫安
搏动 流 电流 I
DM
1.5 一个
门 源 电压 V
GS
±
40
V
电源 消耗 在 t
amb
=25°C P
tot
2.5 W
运行 和 存储 温度 范围 T
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
ZVN4424GZVN4424G
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
流-源 损坏
电压
BV
DSS
240 V I
D
=1ma, v
GS
=0V
门-源 门槛
电压
V
gs(th)
0.8 1.3 1.8 V I
D
=1ma, v
DS
= v
GS
门-身体 泄漏 I
GSS
100 nA
V
GS
=
±
40v, v
DS
=0V
在 状态 流-电流 I
d(在)
0.8 1.4 一个 V
DS
=10v, v
GS
=10V
零 门 电压 流
电流
I
DSS
10
100
µ
一个
µ
一个
V
DS
=240 v, v
GS
=0V
V
DS
=190 v, v
GS
=0v, t=125°c
静态的 流-源
在-状态 阻抗
R
ds(在)
4
4.3
5.5
6
Ω
Ω
V
GS
=10v,i
D
=500mA*
V
GS
=2.5v,i
D
=100mA*
向前
跨导 (1) (2)
g
fs
0.4 0.75 S V
DS
=10v,i
D
=0.5a
输入 电容 (2) C
iss
110 200 pF
V
DS
=25v, v
GS
=0v, f=1mhz
一般 源 输出
电容 (2)
C
oss
15 25 pF
反转 转移
电容 (2)
C
rss
3.5 15 pF
转变-在 延迟 时间 (2)(3) t
d(在)
2.5 5 ns
V
DD
≈
50v, i
D
=0.25a, v
GEN
=10V
上升 时间 (2)(3) t
r
58ns
转变-止 延迟 时间 (2)(3) t
d(止)
40 60 ns
下降 时间 (2)(3) t
f
16 25 ns
(1) 量过的 下面 搏动 情况. 宽度=300
µ
s. 职责 循环
≤
2%
(2) 样本 测试.
(3) 切换 时间 量过的 和 50
Ω
源 阻抗 和 <5ns 上升 时间 在 一个 脉冲波 发生器
额外的刺激 参数 数据 是 有 在之上 要求 为 这个 设备
D
D
S
G
3 - 416 3 - 415
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