ZX5T951G
半导体
公布 2 - 九月 2003
4
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 CONDITIONS
集电级-根基 损坏 电压 BV
CBO
-100 -120 V I
C
=-100
一个
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CER
-100 -120 V I
C
=-1
一个, RB
1k
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CEO
-60 -80 V I
C
=-10ma*
发射级-根基 损坏 电压 BV
EBO
-7 -8.1 V I
E
=-100
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
1 -20
-0.5
nA
一个
V
CB
=-80v
V
CB
=-80v,t
amb
=100
C
集电级 截-止 电流 I
CER
R
1k
1 -20
-0.5
nA
一个
V
CB
=-80v
V
CB
=-80v,t
amb
=100
C
发射级 截-止 电流 I
EBO
1 -10 nA V
EB
=-6v
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
-15
-55
-90
-195
-25
-70
-120
-250
mV
mV
mV
mV
I
C
=-0.1a, I
B
=-10ma*
I
C
=-1a, i
B
=-100ma*
I
C
=-2a, i
B
=-200ma*
I
C
=-5a, i
B
=-500ma*
根基-发射级 饱和 电压 V
是(sat)
-1030 -1150 mV I
C
=-5a, I
B
=-500ma*
根基-发射级 转变-在 电压 V
是(在)
-920 -1020 mV I
C
=-5a, V
CE
=-1v*
静态的 向前 电流 转移 比率 H
FE
100
100
45
10
250
200
90
25
300
I
C
=-10ma, V
CE
=-1v*
I
C
=-2a, v
CE
=-1v*
I
C
=-5a, v
CE
=-1v*
I
C
=-10a, v
CE
=-1v*
转变 频率 f
T
120 MHz I
C
=-100ma, V
CE
=-10v
f=50MHz
输出 电容 C
OBO
48 pF V
CB
=-10v, f=1MHz*
切换 时间 t
在
t
止
39
370
ns I
C
=1a, V
CC
=10v,
I
B1
=I
B2
=100mA
电的 特性
(在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述)
* 量过的 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度
300
s; 职责 循环
2%.