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资料编号:742068
 
资料名称:ZXMC3A16DN8
 
文件大小: 301.37K
   
说明
 
介绍:
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ZXMC3A16DN8
provisional 公布 f - july 2004
4
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
30 V
I
D
=250
µ
一个, V
GS
=0V
电压 电流 I
DSS
0.5
µ
一个
V
DS
=30v, V
GS
=0V
门-身体 泄漏 I
GSS
100 nA
V
GS
=
±
20v, V
DS
=0V
门-源 门槛 电压 V
gs(th)
1V
I
D
=250
µ
一个, V
DS
=V
GS
静态的 流-源 在-状态 阻抗
(1)
R
ds(在)
0.035
0.050
V
GS
=10v, I
D
=9A
V
GS
=4.5v, I
D
=7.4a
向前 跨导
(1)(3)
g
fs
13.5 S V
DS
=15v,i
D
=9A
动态
(3)
输入 电容 C
iss
796 pF
V
DS
=25v,v
GS
=0v,
f=1MHz
输出 电容 C
oss
137 pF
反转 转移 电容 C
rss
84 pF
切换
(2) (3)
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
3.0 ns
V
DD
=15v, I
D
=3.5a
R
G
=6.0
,v
GS
=10V
上升 时间 t
r
6.4 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
21.6 ns
下降 时间 t
f
9.4 ns
承担 Q
g
9.2 nC V
DS
=15v,v
GS
=5v,
I
D
=3.5a
总的 承担 Q
g
17.5 nC
V
DS
=15v,v
GS
=10v,
I
D
=3.5a
门-源 承担 Q
gs
2.3 nC
门-流 承担 Q
gd
3.1 nC
源-流 二极管
二极管 向前 电压
(1)
V
SD
0.85 0.95 V T
J
=25°c, I
S
=5.1a,
V
GS
=0V
反转 恢复 时间
(3)
t
rr
17.8 ns T
J
=25°c, I
F
=3.5a,
di/dt= 100a/
µ
s
反转 恢复 承担
(3)
Q
rr
11.6 nC
n-频道
电的 特性
(在 T
amb
= 25°c 除非 否则 陈述)
注释
(1) 量过的 下面 搏动 情况. 宽度
300
µ
s. 职责 循环
2% .
(2) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
(3) 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
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