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资料编号:742068
 
资料名称:ZXMC3A16DN8
 
文件大小: 301.37K
   
说明
 
介绍:
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ZXMC3A16DN8
provisional 公布 f - july 2004
8
0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
123
0.1
1
10
-50 0 50 100 150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01 0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
100
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.01
0.1
1
10
100
1.5v
10V
4V
3.5v
-v
GS
2.5v
2V
3V
输出 特性
T=25°C
-v
GS
-i
D
电流 (一个)
-v
DS
Drain-Source Voltage (v)
4V
3.5v
3V
2V
1.5v
10V
2.5v
输出 特性
T = 150°C
-i
D
电流 (一个)
-v
DS
Drain-Source Voltage (v)
Typical Transfer Characteristics
-v
DS
=10V
T = 25°C
T = 150°C
-i
D
电流 (一个)
-v
GS
门-源 电压 (v)
Normalised 曲线 v 温度
R
ds(在)
V
GS
=-10v
I
D
= -4.2A
V
gs(th)
V
GS
=V
DS
I
D
= -250ua
Normalised R
ds(在)
V
gs(th)
Tj Juncti Temperure (°c)
1.5v
10V
3V
2V
4V
3.5v
2.5v
在-阻抗 v 电流
T=25°C
-v
GS
R
ds(在)
Drain-source 在-resistance
(Ω)
-i
D
电流 (一个)
T = 150°C
T = 25°C
源-Drain Diode 向前 Voltage
-v
SD
Source-Drain Voltage (v)
-i
SD
反转 电流 (一个)
p-频道 典型 特性
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