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资料编号:742163
 
资料名称:ZXMP6A18DN8TC
 
文件大小: 180.31K
   
说明
 
介绍:
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ZXMP6A18DN8
公布 1 - 将 2005
2
参数 标识 VALUE 单位
接合面 包围的
(一个)(d)
R
θ
JA
100 °c/w
接合面 包围的
(b)(e)
R
θ
JA
69 °c/w
接合面 包围的
(b)(d)
R
θ
JA
58 °c/w
热的 阻抗
注释
(一个) 为 一个 双 设备 表面 挂载 在 25mm x 25mm x 1.6mm fr4 pcb 和 一个 高 coverage 的 单独的 sided 1oz 铜 在 安静的 空气 情况.
(b) 为 一个 双 设备 表面 挂载 在 fr4 pcb 量过的 在 t
10 秒.
(c) repetitive 比率 25mm x 25mm fr4 pcb, d=0.02, 脉冲波 宽度=300µs - 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 temperature.
(d) 为 一个 双 设备 和 一个 起作用的 消逝.
(e) 为 一个 设备 和 二 起作用的 消逝 运动 在 equal 电源.
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DSS
-60 V
门-源 电压 V
GS
20 V
持续的 Current@V
GS
=10v; T
一个
=25
C
(b)(d)
@V
GS
=10v; T
一个
=70
C
(b)(d)
@V
GS
=10v; T
一个
=25
C
(一个)(d)
I
D
-4.8
-3.8
-3.7
一个
一个
一个
搏动 电流
(c)
I
DM
-23 一个
持续的 电流 (身体 二极管)
(b)
I
S
-3.3 一个
搏动 电流 (身体 二极管)
(c)
I
SM
-23 一个
电源 消耗 TA=25°C
(一个)(d)
直线的 减额 因素
P
D
1.25
10
W
mw/°c
电源 消耗 TA=25°C
(一个)(e)
直线的 减额 因素
P
D
1.8
14
W
mw/°c
电源 消耗 TA=25°C
(b)(d)
直线的 减额 因素
P
D
2.1
17
W
mw/°c
运行 存储 温度 范围 T
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
绝对 最大 比率
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