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资料编号:742163
 
资料名称:ZXMP6A18DN8TC
 
文件大小: 180.31K
   
说明
 
介绍:
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ZXMP6A18DN8
公布 1 - 将 2005
4
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
-60 V
I
D
=-250
µ
一个, V
GS
=0V
电压 电流 I
DSS
-1.0
AV
DS
=-60v, V
GS
=0V
门-身体 泄漏 I
GSS
100 nA V
GS
=
20v, V
DS
=0V
门-源 门槛 电压 V
gs(th)
-1.0 V I
D
=-250
一个,
V
DS
=V
GS
静态的 流-源 在-状态 阻抗
(1)
R
ds(在)
0.055
0.080
V
GS
=-10v, I
D
=-3.5a
V
GS
=-4.5v, I
D
=-2.9a
向前 跨导
(1)(3)
g
fs
8.7 S V
DS
=-15v,i
D
=-3.5a
动态
(3)
输入 电容 C
iss
1580 pF
V
DS
=-30 v, V
GS
=0v,
f=1MHz
输出 电容 C
oss
160 pF
反转 转移 电容 C
rss
140 pF
切换
(2) (3)
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
4.6 ns
V
DD
=-30v, I
D
=-1a
R
G
6.0
,v
GS
=-10v
上升 时间 t
r
5.8 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
55 ns
下降 时间 t
f
23 ns
承担 Q
g
23 nC V
DS
=-30v,v
GS
=-5v,
I
D
=-3.5a
总的 承担 Q
g
44 nC
V
DS
=-30v,v
GS
=-10v,
I
D
=-3.5a
门-源 承担 Q
gs
3.9 nC
门-流 承担 Q
gd
9.8 nC
源-流 二极管
二极管 向前 电压
(1)
V
SD
-0.85 -0.95 V T
J
=25°c, I
S
=-4.2a,
V
GS
=0V
反转 恢复 时间
(3)
t
rr
37 ns T
J
=25°c, I
F
=-2.1a,
di/dt= 100a/
µ
s
反转 恢复 承担
(3)
Q
rr
56 nC
电的 特性
(在 T
amb
= 25°c 除非 否则 陈述)
注释
(1) 量过的 下面 搏动 情况. 宽度
300
µ
s. 职责 循环
2% .
(2) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
(3) 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
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