ZXMC4559DN8
公布 5 - 将 2005
6
半导体
0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
2345
0.01
0.1
1
10
-50 0 50 100 150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01 0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.01
0.1
1
10
100
4.5v
10V
4V
3.5v
V
GS
2.5v
3V
输出 特性
T = 25°C
V
GS
I
D
流 电流 (一个)
V
DS
Drain-Source Voltage (v)
4V
3.5v
3V
2V
4.5v
10V
2.5v
输出 特性
T = 150°C
I
D
流 电流 (一个)
V
DS
Drain-Source Voltage (v)
Typical Transfer Characteristics
V
DS
= 10V
T = 25°C
T = 150°C
I
D
流 电流 (一个)
V
GS
门-源 电压 (v)
Normalised 曲线 v 温度
R
ds(在)
V
GS
= 10V
I
D
=4.5a
V
gs(th)
V
GS
=V
DS
I
D
= 250uA
Normalised R
ds(在)
和 V
gs( th)
Tj Juncti在 Temperature (°c)
4.5v
10V
3V
4V
3.5v
2.5v
在-阻抗 v 流 电流
T = 25°C
V
GS
R
ds(在)
流-源 在-阻抗
(Ω)
I
D
流 电流 (一个)
T = 150°C
T = 25°C
源-Drain Diode 向前 Voltage
V
SD
Source-Drain Voltage (v)
I
SD
反转 流 电流 (一个)
n-频道 典型 特性