8 Am28F256A
基本 principles
这个 部分 包含 描述 关于 这 设备
读, 擦掉, 和 程序 行动, 和 写 opera-
tion 状态 的 这 am29fxxxa, 12.0 volt 家族 的 flash
设备. references 至 一些 tables 或者 计算数量 将 是
给 在 generic 表格, 此类 作 “command 定义
table”, 相当 比 “table 1”. 谈及 至 这 相应的
数据 薄板 为 这 真实的 表格 或者 图示.
这 am28fxxxa 家族 使用 100% ttl-水平的 控制
输入 至 manage 这 command 寄存器. 擦掉 和
reprogramming 行动 使用 一个 fixed 12.0 v
±
5%
高 电压 输入.
读 仅有的 记忆
没有 高 v
PP
电压, 这 设备 功能 作 一个
读 仅有的 记忆 和 运作 像 一个 标准
非易失存储器. 这 控制 输入 安静的 manage 传统的
读, 备用物品, 输出 使不能运转, 和 自动 选择 模式.
command 寄存器
这 command 寄存器 是 使能 仅有的 当 高 volt-
age 是 应用 至 这 v
PP
管脚. 这 擦掉 和 repro-
gramming 行动 是 仅有的 accessed 通过 这
寄存器. 在 增加, 二-循环 commands 是 必需的
为 擦掉 和 reprogramming 行动. 这 tradi-
tional 读, 备用物品, 输出 使不能运转, 和 自动 选择
模式 是 有 通过 这 寄存器.
这 设备的 command 寄存器 是 写 使用 标准
微处理器 写 timings. 这 寄存器 控制 一个
内部的 状态 机器 那 manages 所有 设备 opera-
tions. 为 系统 设计 simplification, 这 设备 是 de-
signed 至 支持 也 we# 或者 ce# 控制 写.
在 一个 系统 写 循环, 地址 是 latched 在
这 下落 边缘 的 we# 或者 ce# whichever occurs last.
数据 是 latched 在 这 rising 边缘 的 we# 或者 ce# 这个-
总是 出现 第一. 至 使简化 这 下列的 discussion, 这
we# 管脚 是 使用 作 这 写 循环 控制 管脚 全部地
这 rest 的 这个 text. 所有 建制 和 支撑 时间 是 和 re-
spect 至 这 we# 信号.
overview 的 擦掉/程序
行动
Embedded
擦掉 algorithm
amd now 制造 erasure 极其 简单的 和 reli-
能. 这 embedded 擦掉 algorithm 需要 这 用户
至 仅有的 写 一个 擦掉 建制 command 和 擦掉 com-
mand. 这 设备 将 automatically 前-程序 和
核实 这 全部 排列. 这 设备 automatically 时间
这 擦掉 脉冲波 宽度, 提供 这 擦掉 核实 和
counts 这 号码 的 sequences. 一个 状态 位, data#
polling, 提供 反馈 至 这 用户 作 至 这 状态
的 这 擦掉 运作.
embedded 程序编制 algorithm
amd now 制造 程序编制 极其 简单的 和
可依靠的. 这 embedded 程序编制 algorithm re-
quires 这 用户 至 仅有的 写 一个 程序 建制 command
和 一个 程序 command. 这 设备 automatically
时间 这 程序编制 脉冲波 宽度, 提供 这 pro-
gram 核实 和 counts 这 号码 的 sequences. 一个
状态 位, data# polling, 提供 反馈 至 这 用户
作 至 这 状态 的 这 程序编制 运作.
数据 保护
这 设备 是 设计 至 提供 保护 相反 acci-
dental erasure 或者 程序编制 造成 用 spurious
系统 水平的 信号 那 将 exist 在 电源 transi-
tions. 这 设备 powers 向上 在 它的 读 仅有的 状态. 也,
和 它的 控制 寄存器 architecture, 改变 的 这
记忆 内容 仅有的 occurs 之后 successful comple-
tion 的 明确的 command sequences.
这 设备 也 包含 一些 特性 至 前-
vent inadvertent 写 循环 结果 从 v
CC
电源-向上 和 电源-向下 transitions 或者 系统 噪音.
低 v
CC
写 inhibit
至 避免 initiation 的 一个 写 循环 在 v
CC
电源-向上
和 电源-向下, 这 设备 locks 输出 写 循环 为
V
CC
< v
LKO
(看 直流 特性 部分 为 volt-
ages). 当 v
CC
< v
LKO
, 这 command 寄存器 是 dis-
abled, 所有 内部的 程序/擦掉 电路 是 无能,
和 这 设备 resets 至 这 读 模式. 这 设备 ig-
nores 所有 写 直到 v
CC
> v
LKO
. 这 用户 必须 确保
那 这 控制 管脚 是 在 这 准确无误的 逻辑 状态 当
V
CC
> v
LKO
至 阻止 unintentional 写.
写 脉冲波 “glitch” 保护
噪音 脉冲 的 较少 比 10 ns (典型) 在 oe#, ce#
或者 we# 将 不 initiate 一个 写 循环.
logical inhibit
writing 是 inhibited 用 支持 任何 一个 的 oe# = v
IL
,
CE#=V
IH
或者 we# = v
IH
. 至 initiate 一个 写 循环 ce#
和 we# 必须 是 一个 logical 零 当 oe# 是 一个 logical
一个.
电源-向上 写 inhibit
电源-向上 的 这 设备 和 we# = ce# = v
IL
和
OE# = V
IH
将 不 接受 commands 在 这 rising
边缘 的 we#. 这 内部的 状态 机器 是 自动地-
cally 重置 至 这 读 模式 在 电源-向上.
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