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产品 数据 薄板 rev. 04 — 9 六月 2004 2 的 11
飞利浦 半导体
bt151x 序列
Thyristors
3. 订货 信息
4. 限制的 值
[1] 虽然 不 推荐, 止-状态 电压 向上 至 800 V 将 是 应用 没有 损坏, 但是 这 thyristor 将 转变 至 这 在-状态.
这 比率 的 上升 的 电流 应当 不 超过 15 一个/
µ
s.
表格 2: 订货 信息
类型 号码 包装
名字 描述 版本
bt151x-500 - 塑料 单独的-结束 包装; 分开的 散热器 挂载; 1 挂载 孔;
3 含铅的 至-220 ‘full 包装’
SOT186A
bt151x-650
bt151x-800
表格 3: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DRM
, v
RRM
repetitive 顶峰 止-状态 电压
bt151x-500
[1]
- 500 V
bt151x-650
[1]
- 650 V
bt151x-800 - 800 V
I
t(av)
平均 在-状态 电流 half sinewave;
T
hs
≤
69
°
c; 图示 1
- 7.5 一个
I
t(rms)
rms 在-状态 电流 所有 传导 angles;
图示 4和 图示 5
-12a
I
TSM
非-repetitive 顶峰 在-状态 电流 half sinewave;
T
j
=25
°
c 较早的 至
surge;
图示 2和
图示 3
t=10ms - 120 一个
t = 8.3 ms - 132 一个
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing t = 10 ms - 72 一个
2
s
dI
T
/dt repetitive 比率 的 上升 的 在-状态
电流 之后 triggering
I
TM
=20a;i
G
=50ma;
dI
G
/dt 50 毫安/
µ
s
-50a/
µ
s
I
GM
顶峰 门 电流 - 2 一个
V
RGM
顶峰 反转 门 电压 - 5 V
P
GM
顶峰 门 电源 - 5 W
P
g(av)
平均 门 电源 在 任何 20 ms 时期 - 0.5 W
T
stg
存储 温度
−
40 +150
°
C
T
j
接合面 温度 - 125
°
C
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