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资料编号:74906
 
资料名称:2SK3262-01MR
 
文件大小: 138K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
 
 


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2
012345
0.1
1
10
100
典型 转移 特性
id=f(vgs):80µs 脉冲波 测试,vds=25v,tch=25°c
id [a]
vgs [v]
特性
2sk3262-01mr
fuji 电源 场效应晶体管
0 50 100 150
0
10
20
30
40
50
电源 消耗
pd=f(tc)
pd [w]
tc [°c]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
id [a]
vds [v]
safe operating 范围
id=f(vds):d=0.01,tc=25°c
t=
1µs
10µs
1ms
10ms
100ms
100µs
d.c.
0123456
0
10
20
30
40
50
15V
3.5v
3.0v
4.0v
4.5v
10V 5.0v
VGS=20V
典型 输出 特性
id=f(vds):80µs 脉冲波 测试,tc=25°c
id [a]
vds [v]
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
典型 向前 跨导
gfs=f(id):80µs 脉冲波 测试,vds=25v,tch=25°c
gfs [s]
id [a]
0 102030405060
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
0.22
rds(在) [
]
id [a]
典型 流-源 在-状态 阻抗
rds(在)=f(id):80µs 脉冲波 测试,tch=25°c
10V
15V
20V
4.0v
4.5v
3.5v
VGS=
3.0v
5.0v
t
T
D=
t
T
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