cs5525 cs5526
DS202F3 3
相似物 特性
(持续)
注释: 9. 这 最小 全部 规模 校准 范围 (fscr) 是 限制 用 这 最大 允许 增益 寄存器
值 (和 余裕). 这 最大 fscr 是 限制 用 这
∆Σ
modulator’s 1’s 密度 范围.
10. 这 最大 全部 规模 信号 能 是 限制 用 饱和 的 circuitry在里面 这 内部的 信号 path.
11. 所有 输出 unloaded. 所有 输入 cmos 水平.
参数 最小值 典型值 最大值 单位
相似物 输入
一般 模式 + 信号 在 ain+ 或者 ain- 双极/单极的 模式
nbv = -1.8 至 -2.5 v 范围 = 25 mv, 55 mv, 或者 100 mv
范围 = 1 v, 2.5 v, 或者 5 v
nbv = agnd 范围 = 25 mv, 55 mv, 或者 100 mv
范围 = 1 v, 2.5 v, 或者 5 v
-0.150
NBV
1.85
0.0
-
-
-
-
0.950
VA+
2.65
VA+
V
V
V
V
一般 模式 拒绝 直流
50, 60 hz
-
-
120
120
-
-
dB
dB
输入 电容 - 10 - pF
cvf 电流 在 ain+ 或者 ain- (便条 5)
范围 = 25 mv, 55 mv, 或者 100 mv
范围 = 1 v, 2.5 v, 或者 5 v
-
-
100
1.2
300
-
pA
µa/v
系统 校准 规格
全部 规模 校准 范围 双极/单极的 模式 (便条 9)
25 mv
55 mv
100 mv
1 v
2.5 v
5 v
17.5
38.5
70
0.70
1.75
3.50
-
-
-
-
-
-
32.5
71.5
105
1.30
3.25
VA+
mV
mV
mV
V
V
V
补偿 校准 范围 双极/单极的 模式
25 mv
55 mv
100 mv (便条 10)
1 v
2.5 v
5 v
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±12.5
±27.5
±50
±0.5
±1.25
±2.50
mV
mV
mV
V
V
V
电源 供应
直流 电源 供应 电流 (正常的 模式) I
A+
I
D+
I
NBV
-
-
-
1.65
15
475
2.2
30
700
毫安
µA
µA
电源 消耗量 正常的 模式 (便条 11)
低 电源 模式
备用物品
睡眠
-
-
-
-
9.4
4.9
1.2
500
12.7
8.5
-
-
mW
mW
mW
µW
电源 供应 拒绝 直流 积极的 供应
直流 nbv
-
-
95
110
-
-
dB
dB
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