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便条: words 在 bold lettering 在 这 revisions 在下 表明 这 改变.
文档 释放 日期 修订 页 非.
释放 版本 0.6 3/6/98 在 页 5, 改变 这 参数 名字 的 o18 类型
缓存区 在 表格 6-1. 直流 电的 特性 至
o12 类型 缓存区
.
5
在 页 5, 改变 这 最小值 的 v
IH
的 ish 类型 缓存区
从 1.0 至
3.0
.
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在 页 5, 改变 这 最大值的 v
IL
的 是 类型 缓存区
从 0.6 至
0.7
.
5
在 页 5, 改变 这 最大值的 v
IL
的 ish 类型 缓存区
从 -1 至
0.9
.
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在 页 5, 改变 这 情况 的 v
OL
下面 o12
类型 缓存区 从 i
OL
=18ma 至 “i
OL
=
12mA
.”
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在 页 5, 改变 这 情况 的 v
OH
下面 o12
类型 缓存区 从 i
OH
=-6ma 至 “i
OH
=-
4mA
.”
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10. 11. IT8687R 修订 history 便条: words 在 bold lettering 在这 revisions 在下表明这改变. 文档释放日期修订页非. 释放版本 0.6 3/6/98 在页 5, 改变这参数名字的 o18 类型缓存区在表格 6-1. 直流电的特性至 o12 类型缓存区 . 5 在页 5, 改变这最小值的 v IH 的 ish 类型缓存区从 1.0 至 3.0 . 5 在页 5, 改变这最大值的 v IL 的是类型缓存区从 0.6 至 0.7 . 5 在页 5, 改变这最大值的 v IL 的 ish 类型缓存区从 -1 至 0.9 . 5 在页 5, 改变这情况的 v OL 下面 o12 类型缓存区从 i OL =18ma 至 “i OL = 12mA .” 5 在页 5, 改变这情况的 v OH 下面 o12 类型缓存区从 i OH =-6ma 至 “i OH =- 4mA .” 5

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