st6208c/st6209c/st6210c/st6220c
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3.2 程序编制 模式
3.2.1 程序 记忆
非易失存储器/otp 程序编制 模式 是 设置 用 一个
+12.5v 电压 应用 至 这 测试/v
PP
管脚. 这
程序编制 流动 的 这 st62t08c,t09c,t10c,
t20c 和 e20c 是 描述 在 这 用户 手工的 的
这 非易失存储器 程序编制 板.
表格 3. st6208c/09c 程序 记忆 编排
表格 4. st6210c 程序 记忆 编排
表格 5. st6220c 程序 记忆 编排
便条
: otp/非易失存储器 设备 能 是 编写程序
和 这 开发 tools 有 从
意法半导体 (请 谈及 至部分 12 在
页 99).
3.2.2 非易失存储器 erasing
这 非易失存储器 设备 能 是 erased 用 暴露
至 过激 violet 明亮的. 这 特性 的 这 mcu
是 此类 那 erasure begins 当 这 记忆 是
exposed 至 明亮的 和 一个 波 长度 shorter 比
大概 4000Å. 它 应当 是 指出 那 sun-
明亮的 和 一些 类型 的 fluorescent lamps 有
wavelengths 在 这 范围 3000-4000Å.
它 是 因此 推荐 那 这 window 的 这
mcu 包装 是 covered 用 一个 opaque label 至
阻止 unintentional erasure 问题 当 测试-
ing 这 应用 在 此类 一个 环境.
这 推荐 erasure 程序 是 暴露
至 短的 波 ultraviolet 明亮的 这个 有 一个 波-
长度 2537Å. 这 整体的 剂量 (i.e. u.v. inten-
sity x 暴露 时间) 为 erasure 应当 是 一个 迷你-
mum 的 30w-秒/cm
2
. 这 erasure 时间 和 这个
dosage 是 大概 30 至 40 分钟 使用 一个
ultraviolet lamp 和 12000µw/cm
2
电源 比率.
这 非易失存储器 设备 应当 是 放置 在里面
2.5cm (1inch) 的 这 lamp tubes 在 erasure.
设备 地址 描述
0000h-0b9fh
0ba0h-0f9fh
0fa0h-0fefh
0ff0h-0ff7h
0ff8h-0ffbh
0ffch-0ffdh
0ffeh-0fffh
保留
用户 只读存储器
保留
中断 vectors
保留
nmi 中断 vector
重置 vector
设备 地址 描述
0000h-087fh
0880h-0f9fh
0fa0h-0fefh
0ff0h-0ff7h
0ff8h-0ffbh
0ffch-0ffdh
0ffeh-0fffh
保留
用户 只读存储器
保留
中断 vectors
保留
nmi 中断 vector
重置 vector
设备 地址 描述
0000h-007fh
0080h-0f9fh
0fa0h-0fefh
0ff0h-0ff7h
0ff8h-0ffbh
0ffch-0ffdh
0ffeh-0fffh
保留
用户 只读存储器
保留
中断 vectors
保留
nmi 中断 vector
重置 vector
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