km416c256d, km416v256d cmos dram
这个 是 一个 家族 的 262,144 x 16 位 快 页 模式 cmos drams. 快 页 模式 提供 高 速 随机的 进入 的 记忆 cells
在里面 这 一样 行. 电源 供应 电压 (+5.0v 或者 +3.3v), 进入 时间 (-5,-6,-7), 电源 consumption(normal 或者 低 power) 和
包装 类型(soj 或者 tsop-ii) 是 optional 特性 的 这个 家族. 所有 的 这个 家族 有CAS-在之前-RASrefresh,RAS-仅有的 refresh 和
hidden refresh 能力. 此外, 自-refresh 运作 是 有 在 l-版本. 这个 256kx16 快 页 模式 dram family 是
fabricated 使用 samsung's 先进的 cmos 处理 至 realize 高 带宽-宽度, 低 电源 消耗量 和 高 可靠性.
它 将 是 使用 作 graphic 记忆 单位 为 microcomputer, 个人的 计算机 和 可携带的 machines.
¡Ü
部分 identification
- km416c256d/dl (5v, 512k ref.)
- km416v256d/dl (3.3v, 512k ref.)
¡Ü
快 页 模式 运作
¡Ü
2CAS字节/wrod 读/写 运作
¡Ü
CAS-在之前-RASrefresh 能力
¡Ü
RAS-仅有的 和 hidden refresh 能力
¡Ü
自-refresh 能力 (l-ver 仅有的)
¡Ü
ttl(5v)/lvttl(3.3v) 兼容 输入 和 输出
¡Ü
early 写 或者 输出 使能 控制 写
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电子元件工业联合会 标准 引脚
¡Ü
有 在 40-管脚 soj 400mil and44(40)-管脚
tsop(ii) 400mil 包装
¡Ü
triple +5v
¡¾
10% 电源 供应(5v 产品)
¡Ü
triple +3.3v
¡¾
0.3v 电源 供应(3.3v 产品)
控制
Clocks
vbb 发生器
refresh 计时器
refresh 控制
refresh 计数器
行 地址 缓存区
col. 地址 缓存区
行 解码器
column 解码器
更小的
数据 输出
缓存区
RAS
UCAS
LCAS
W
Vcc
Vss
DQ0
至
DQ7
A0
.
.
A8
记忆 排列
262,144 x16
Cells
samsung electronics co., 有限公司.
reserves 这 正确的 至
改变 产品 和 规格 没有 注意.
256k x 16bit cmos 动态 内存 和 快 页 模式
描述
特性
函数的 块 图解
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refresh 循环
部分
非.
VCC
Refresh
循环
refresh 时期
正常的 l-ver
C256D 5V
512K 8ms 128ms
V256D 3.3v
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效能 范围:
速
tRAC tCAC tRC tPC
Remark
-5 50ns 15ns 90ns 35ns 5v 仅有的
-6 60ns 15ns 10ns 40ns 5v/3.3v
-7 70ns 20ns 130ns 45ns 5v/3.3v
¡Ü
起作用的 电源 消耗
速 3.3v(512 ref.) 5v(512 ref.)
-5 - 605
-6 325 495
-7 290 440
单位 : mw
sense 放大器 &放大; i/o
Upper
数据 在
缓存区
Upper
数据 输出
缓存区
更小的
数据 在
缓存区
DQ
8
至
DQ15
OE
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