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ltc1555/ltc1556
APPLICATIONs iN为MATION
WUU
U
减少 这 波纹. 一个 大 c
输出
电容 (22
µ
f 或者 更好)
将 减少 两个都 这 低 和 高 频率 波纹 预定的 至
这 更小的 c
输出
charging 和 discharging dv/dt 和 这
更小的 等效串联电阻 典型地 建立 和 高等级的 值 (大 情况
大小) 电容. 一个 低 等效串联电阻 陶瓷的 输出 电容 将
降低 这 高 频率 波纹, 但是 将 不 减少 这
低 频率 波纹 除非 一个 高 电容 值 是
选择 (10
µ
f 或者 更好). 一个 合理的 compromise 是 至
使用 一个 10
µ
f 至 22
µ
f tantalum 电容 在 并行的 和 一个 1
µ
F
至 3.3
µ
f 陶瓷的 电容 在 v
输出
至 减少 两个都 这 低
和 高 频率 波纹. 一个 rc 过滤 将 也 是 使用
至 减少 高 频率 电压 尖刺 (看 图示 1).
hundred milliseconds 至 完全地 shut 向下. 至 确保
prompt 和 恰当的 v
CC
关闭, 总是 强迫 这 m0
和 m1 管脚 至 一个 逻辑 低 状态 在之前 关闭 向下 这
DV
CC
供应 (看 图示 2). similarly, bring 这 dv
CC
供应 至 一个 有效的 水平的 在之前 准许 这 m0 和 m1 管脚
至 go 高 当 coming 输出 的 关闭. 这个 能 是
达到 和 拉-向下 电阻器 从 m0 和 m1 至
地 如果 需要. (便条: 关闭 向下 这 dv
CC
供应
和 v
在
起作用的 是 不 推荐 和 early 日期 代号
材料. 咨询 工厂 为 有效的 日期 代号 开始 要点
为 关闭 向下 这 dv
CC
供应.)
水平的 翻译
所有 sims 和 smart cards 包含 一个 时钟 输入, 重置 输入
和 一个 双向的 数据 输入/输出. 这 ltc1555/
ltc1556 提供 水平的 翻译 至 准许 控制者 至
communicate 和 这 sim (看 计算数量 3a 和 3b). 这
clk 和 rst 输入 至 这 sim 是 水平的 shifted 从 这
控制 供应 围栏 (dv
CC
和 地) 至 这 sim 供应
围栏 (v
CC
和 地). 这 数据 输入 至 这 sim 将 是
提供 二 不同的 方法. 这 第一 方法 是 至 使用 这
数据 管脚 作 一个 双向的 水平的 翻译. 这个 configu-
限定 是 仅有的 允许 如果 这 控制 数据 输出 管脚 是
打开 流 (所有 sim i/o 管脚 是 打开 流). 内部的 拉-
向上 电阻器 是 提供 为 两个都 这 数据 管脚 和 这
图示 3b. 水平的 翻译 连接 为
一个-directional 控制 一侧 数据 流动
CIN
RIN
DATA
DDRV
DV
CC
CLK
RST
i/o
V
CC
clk 至 sim
rst 至 sim
数据 从 sim
数据 至 sim
ltc1555/ltc1556
CONTROLLER
一侧
sim 一侧
1555/56 f3b
图示 3a. 水平的 翻译 连接 为
双向的 控制 数据 管脚
CIN
RIN
DATA
DDRV
DV
CC
CLK
RST
i/o
V
CC
clk 至 sim
rst 至 sim
数据 至/从 sim
ltc1555/ltc1556
CONTROLLER
一侧
sim 一侧
1555/56 f3a
图示 2. 推荐 dv
CC
关闭 和 开始-向上 定时
M0
DV
CC
0V
M1
DV
CC
0V
DV
CC
DV
CC
0V
V
CC
V
CC
0V
1555/56 f02
关闭 向下 这 dv
CC
供应
至 conserve 电源, 这 dv
CC
供应 将 是 shut 向下
当 这 v
在
供应 是 安静的 起作用的. 当 这 dv
CC
供应
是 brought 至 0v, 弱 内部的 电流 将 强迫 这
ltc1555/ltc1556 在 关闭 模式 regardless 的 这
电压 呈现 在 这 m0 和 m1 管脚. 不管怎样, 如果 这
m0 和 m1 管脚 是 floating 或者 left 连接 至 dv
CC
作
这 供应 是 shut 向下, 这 部分 将 引领 一些
图示 1. v
CC
输出 波纹 减少 技巧
15
µ
F
TANTALUM
lt1555/56 f01
V
CC
SIM
V
CC
SIM
V
CC
1
µ
F
陶瓷的
10
µ
F
V
CC
10
µ
F
2
Ω
ltc1555/
LTC1556
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