©2001 仙童 半导体 公司 hgtg7n60a4d, hgtp7n60a4d, hgt1s7n60a4ds rev. b
二极管 向前 电压 V
EC
I
EC
= 7a - 2.4 - V
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
EC
= 7a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s-34-ns
I
EC
= 1a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s-22-ns
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
IGBT - - 1.0
o
c/w
二极管 - - 2.2
o
c/w
注释:
2. 值 为 二 转变-在 丧失 conditions 是 显示 为 这 convenience 的 这 电路 designer. e
ON1
是 这 转变-在 丧失 的 这 igbt 仅有的. e
ON2
是 这 转变-在 丧失 当 一个 典型 二极管 是 使用 在这 测试 电路 和 这 二极管 是 在 这 一样 t
J
作 这 igbt. 这 二极管 类型 是 指定 在
图示 24.
3. 转变-止 活力 丧失 (e
止
) 是 定义 作 这 integral 的 这 instantaneous 电源 丧失 开始 在 这 trailing 边缘 的 这 输入 脉冲波 和 ending
在 这 要点 在哪里 这 集电级 电流 相等 零 (i
CE
= 0a). 所有 设备 是 测试 每 jedec 标准 非. 24-1 方法 为 度量
的 电源 设备 转变-止 切换 丧失. 这个 测试 方法 produces 这 真实 总的 转变-止 活力 丧失.
典型 效能 曲线
除非 否则 指定
图示 1. 直流 集电级 电流 vs 情况
温度
图示 2. 最小 切换 safe 运行 范围
图示 3. 运行 频率 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
电的 规格
T
J
= 25
o
c, 除非 否则 指定
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
50
10
0
30
20
25
25 75 100 125 15
0
35
V
GE
= 15v
15
5
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
700
20
0
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
300 400200100 500 600
0
30
10
40
T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
Ω
, v
GE
= 15v, l = 100
µ
H
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
1
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
30
200
2
0510
500
T
J
= 125
o
c, r
G
= 25
Ω
, l = 1mh, v
CE
= 390v
100
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
ØJC
= 1.0
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
ON2
+ e
止
)
T
C
V
GE
15V
75
o
C
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
10 11 12 15
4
6
14
20
80
100
14016
13 14
8
10
12
40
60
120
V
CE
= 390v, r
G
= 25
Ω
, t
J
= 125
o
C
t
SC
I
SC
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