数据 薄板 e0149n10
12
µ
µµ
µ
pd4564441, 4564841, 4564163
图.4 column 地址 和 写
command
/我们
/cas
/ras
/cs
CKE
CLK
H
增加
A10
a12, a13
(bank 选择)
col.
图.5 column 地址 和 读
command
/我们
/cas
/ras
/cs
CKE
CLK
H
增加
A10
a12, a13
(bank 选择)
col.
图.6 cbr (自动) refresh command
增加
A10
a12, a13
/我们
/cas
/ras
/cs
CKE
CLK
H
(bank 选择)
写 command
(/cs, /cas, /我们 = 低, /ras = high)
如果 这 模式 寄存器 是 在 这 burst 写 模式, 这个 command sets 这
burst 开始 地址 给 用 这 column 地址 至 begin 这 burst 写
运作. 这 第一 写 数据 在 burst 模式 能 输入 和 这个
command 和 subsequent 数据 在 下列的 clocks.
读 command
(/cs, /cas = 低, /ras, /we = 高)
读 数据 是 有 之后 /cas latency (所需的)东西 有 被 符合.
这个 command sets 这 burst 开始 地址 给 用 这 column
地址.
cbr (自动) refresh command
(/cs, /ras, /cas = 低, /we, cke = 高)
这个 command 是 一个 要求 至 begin 这 cbr (自动) refresh 运作.
这 refresh 地址 是 发生 内部.
在之前 executing cbr (自动) refresh, 所有 banks 必须 是 precharged.
之后 这个 循环, 所有 banks 将 是 在 这 空闲 (precharged) 状态 和
准备好 为 一个 行 活动 command.
在 t
RC
时期 (从 refresh command 至 refresh 或者 活动
command), 这
µ
PD4564xxx cannot 接受 任何 其它 command.
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