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资料编号:771704
 
资料名称:2SK1580
 
文件大小: 144K
   
说明
 
介绍:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d13555ej5v0ds
3
2SK1580
典型 特性 (t
一个
= 25°c)
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
P
T
- 总的 电源 消耗 -m w
T
一个
- 包围的 温度 -
˚C
30
30
60
90
120
150
180
0 15012060 18090
20
60
80
40
0
100
120
流 电流
vs.
流 至 源 电压
I
D
- 流 电流 - 毫安
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
01237
搏动
3.5 v
4.0 v
3.0 v
2.5 v
V
GS
= 2.0 v
转移 特性
I
D
- 流 电流 - 毫安
V
DS
= 3 v
搏动
T
一个
= 150˚c
75˚C
25˚C
–25˚C
T
一个
= 150˚c
75˚C
25˚C
–25˚C
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
1
10
100
0.1
0.01
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
门 至 源 截-止 电压 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 - ˚c
V
gs(止)
- 门 至 源 截-止 电压 - v
V
DS
= 3 v
I
D
= 10 一个
30 0 30 60 90 120 150
0
0.5
1.5
1.0
100301031 300
V
DS
= 3 v
搏动
1000
I
D
- 流 电流 - 毫安
| y
fs
| - 向前 转移 admittance - ms
T
一个
=
25
˚C
1000
100
10
1
75
˚C
25
˚C
150
˚C
流 电流
向前 转移 admmittance vs.
0
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 门 至 源 电压
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
V
GS
- 门 至 源 电压 -
V
0 5 10 15 20 25
10
5
I
D
= 1 毫安
搏动
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